本申请涉及一种水冷板结构，包括：底板，底板上设有第一凹槽，底板于第一凹槽内沿第一方向间隔设置有多个隔筋，隔筋将第一凹槽分隔形成多个流道；以及盖板，盖设于第一凹槽上，盖板朝向底板的一侧设有多个和隔筋一一匹配的卡槽，隔筋背离底板的一端嵌设于...

本申请提供了一种变频器，其包括底座、中板、防护盖、驱动模组、逆变模组、控制模组以及电源模组；底座上设置有安装槽位；驱动模组安装于安装槽位内；逆变模组安装于底座上、且位于安装槽位的下方；中板活动连接于底座上，且覆盖安装槽位，或者，远离安装...

本申请提供了一种变频器，其包括：壳体，其具有豁口，壳体上位于豁口边缘的位置设置有密封件；壳体内部设置有主板以及散热器，主板与散热器直接或者间接接触；以及封盖，其上设置有显示屏，封盖可拆卸连接于壳体、用于封堵豁口，且封盖与密封件相抵接；显...

本申请公开了一种载波移相调制方法、设备及存储介质，载波移相调制装置包括通信连接的微控制器和FPGA模块，FPGA模块包括含有多路载波计数模块的载波移相发生器，方法包括：在预设中断周期内，FPGA模块接收微控制器下发的三相调制波信号、以及...

本技术涉及一种编码器校准系统，包括：上位机，用于下发第一控制指令；驱动器，其与上位机连接，用于根据第一控制指令，生成驱动信号；对拖电机，其与驱动器连接，用于根据驱动信号进行工作，其上设置有待校准编码器和基准编码器，均用于在对拖电机工作过...

本技术实施例涉及一种三电平IGBT并联均流结构，包括：通过散热器、半导体开关元件组、AC交流铜排、DC叠层母排和吸收电容；所述散热器位于所述半导体开关元件组的底层，所述半导体开关元件组的顶层连接于所述DC叠层母排的底层，所述DC叠层母排...

本实用新型公开了一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器，属于变频器和逆变器技术领域