一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器，属于变频器和逆变器技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器


[0001]本技术涉及变频器和逆变器领域，尤其涉及一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器
。

技术介绍

[0002]功率模块是中高压大电流三电平四象限变频器整机中的核心部件
。
一般包括半导体开关元件和叠层母排，各元件连接散热器进行散热，各元件之间通过叠层母排电连接
。
作为功率模块中的关键元件的半导体开关元件的载流能力是否被合理充分利用，决定了产品的竞争力，载流能力往往受限于电气连接母排的杂散电感，而杂散电感与叠层母排的电流流向
、
层叠关系
、
半导体开关元件的布置方式等密切相关
。

技术实现思路

[0003]为了解决功率模块杂散电感大和布局空间浪费的问题，本申请提供了一种三电平功率单元结构及变频器或逆变器
。
[0004]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种三电平功率单元结构，所述三电平功率单元结构包括散热器
、
第一半导体开关元件
、
第二半导体开关元件...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种三电平功率单元结构，所述三电平功率单元结构包括散热器
、
第一半导体开关元件
、
第二半导体开关元件
、
第三半导体开关元件和叠层母排；所述叠层母排包括
P
直流铜排
、0
电铜排
、N
直流铜排
、A
连接铜排
、B
连接铜排和
AC
交流铜排，其特征在于，所述第一半导体开关元件
、
所述第二半导体开关元件和所述第三半导体开关元件以单列方式排列于所述散热器表面；所述
A
连接铜排位于第一平面；所述0电铜排
、B
连接铜排和
AC
交流铜排位于第二平面；所述
P
直流铜排和
N
直流铜排位于第三平面
。2.
根据权利要求1所述的三电平功率单元结构，其特征在于，所述第一半导体开关元件
、
所述第二半导体开关元件和所述第三半导体开关元件分别包含规格相同的半导体开关元件为双管绝缘栅双极型晶体管；其中，所述双管绝缘栅双极型晶体管包括第一绝缘栅双极型晶体管和第二绝缘栅双极型晶体管；所述双管绝缘栅双极型晶体管包括第一引脚
、
第二引脚和第三引脚；所述第一引脚与所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极和所述第二绝缘栅双极型晶体管的集电极连接；所述第二引脚与所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；所述第三引脚与所述第一绝缘栅双极型晶体管的集电极连接
。3.
根据权利要求1所述的三电平功率单元结构，其特征在于，所述
P
直流铜排位于所述第三半导体开关元件上方，并延伸到所述第三半导体开关元件的外侧形成所述
P
直流铜排的接线端；所述0电铜排位于所述第二半导体开关元件和所述第三半导体开关元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王双锋，
申请(专利权)人：深圳伟创软件有限公司，
类型：新型
国别省市：