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深圳市兆明芯科技控股有限公司专利技术
深圳市兆明芯科技控股有限公司共有4项专利
覆晶式LED芯片制造技术
本实用新型公开了一种覆晶式LED芯片,包括衬底,由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层;还包括第一电极孔和第二电极孔,第一电极孔暴露出第一导电型半导体层,其孔壁上涂覆有绝缘层,第二电...
免打线封装的LED芯片及封装工艺制造技术
本发明公开了一种免打线封装的LED芯片,免打线封装的LED芯片,由上至下依次包括透明导电层、发光层及衬底,还包括正电极、负电极及隔离区,所述正电极沿衬底向上延伸至透明导电层,所述隔离区设置在正电极与负电极之间并向上延伸至透明导电层。还公...
覆晶式LED芯片的制作方法技术
本发明公开了一种覆晶式LED芯片的制作方法,包含步骤:在衬底上层叠第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层;形成第一电极孔;在第二导电型半导体层的正面覆盖导电层,并蚀刻第一电极孔的延伸部;在导电层的正面覆盖反射层,并蚀刻第一电极孔...
覆晶式LED芯片制造技术
本发明公开了一种覆晶式LED芯片,包括衬底,由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层;还包括第一电极孔和第二电极孔,第一电极孔暴露出第一导电型半导体层,其孔壁上涂覆有绝缘层,第二电极孔...
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