本申请公开的属于半导体技术领域，具体为一种集成式高压半导体器件结构，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括漏极金属、设置在漏极金属上的衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层上的P‑body基区、设置在P‑body基区上的第一P+区和N...

本发明属于废气处理技术领域，具体为一种半导体湿法工艺的废气处理装置，包括处理箱，所述处理箱的上侧壁固定设置有废气排入管，所述废气排入管的下端滑动设置有第一套管，所述第一套管与所述处理箱的上侧壁滑动连接，所述废气排入管的管壁固定设置有限位...

本发明公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种垂直导电MOSFET半导体器件，所述半导体器件本体包括金属化漏极、重掺杂N型半导体衬底、轻掺杂N型半导体漂移区和金属化源极，所述金属化漏极上侧依次层叠设置有重掺杂N型半导体衬底、轻掺杂N型半...

本技术属芯片封装框架技术领域，我们构想了MOSFET封装引线框架，包括安装框和遮尘板；所述安装框的内腔开设有安装槽，所述安装槽的左右两侧均设置有对接板，所述对接板的内腔开设有对接槽，且两组对接槽的开口相对开设，所述安装槽内设置有芯片，且...

本技术属芯片测试技术领域，我们构想了MOSFET固定装置，包括固定板；所述固定板的中部开设有放置槽，所述放置槽内放置有芯片，所述放置槽的左右两侧均通过铰链连接有翻盖，所述翻盖的内侧设置有防护垫，所述翻盖向内翻折时覆盖在芯片的左右两侧，且...

本申请公开的属于半导体技术领域，具体为集成SBR的SGTMOSFET的器件结构，包括器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区上开设有SBR沟槽，且SBR沟槽中设置有P

本申请公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种分栅沟槽MOSFET,包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在所述第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，第一导电类型漂移...

本申请公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种分离栅MOSFET器件结构，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，第二导电类型阱...

本发明公开了一种集成MOSFET及二极管的半导体装置，包括基底，基底的上端设置有漂移层，漂移层的上端设置有支撑层，支撑层的上端设置有导电部，导电部的右侧设置有连通部，连通部的右侧设置有出电部。本发明通过通过两个接触层传导电压，即使当其中...

本发明公开了一种垂直功率MOSFET半导体器件，包括基底，基底的侧面水平开设有安装槽，基底的内部设置有半导体栅极，半导体栅极设置在安装槽的内部，半导体栅极的外端与安装槽的内部位置之间设置有支撑部，基底的内部与长管的前端位置处设置有降温部...

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种高压高频开关MOS管散热组件，包括壳体，所述壳体的上端粘接有盖板，所述盖板内固定套接有风机，所述壳体的下端开设有开口，所述开口内套接有MOS管，所述壳体的侧壁滑动套接有导杆，所述导杆的末端焊接有...

本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件，涉及半导体领域。该SGT‑MOSFET半导体器件，包括屏蔽栅和三组半导体结构，所述半导体结构包括沟槽，且沟槽呈U形设置，所述沟槽端面设置有控制导电材料，且控制导电材料顶部设置有栅电极，所述沟...

本发明涉及半导体领域，提供一种半导体SGT器件，包括衬底层，衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，第一栅级材料层和第...

本实用新型公开了一种双MOS管结构的调压器，包括有调压器本体和连接外壳，所述调压器本体正面的左右两侧均开设有滑槽，所述连接外壳的左右两侧均固定连接有两个连接块，所述连接块的背面固定连接有滑块，所述滑块的外表面与滑槽的内表面滑动连接，所述...

本实用新型公开了一种MOS管压接结构，包括有固定盒，所述固定盒内腔的底部固定安装有多组MOS管，所述固定盒内表面底部的左右两侧均固定连接有套柱，所述套柱内表面的顶部滑动连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定连接有PCB板，所述支撑杆的外表面...

本实用新型公开了一种MOS管安装固定装置，包括有安装基座，所述安装基座的顶部通过连接件固定安装有MOS管，所述安装基座的上下两侧均开设有安装槽，两个所述安装槽的内部均安装有安装板，所述安装板的内表面通过第一弹簧固定连接有缓冲板，所述安装...

本实用新型公开了一种用于IGBT模块的二极管，涉及二极管技术领域，该用于IGBT模块的二极管，包括基板，所述基板的内部两侧分别安装有IGBT芯片和二极管芯，且基板的内部位于IGBT芯片和二极管芯之间设置有电路线端部，所述基板的一侧安装有...

本实用新型公开了一种晶元加工装置，包括工作台，所述工作台的顶端表面固定安装有两根导轨，所述导轨的上方设有两个传动机，两个所述传动机的顶端表面均固定安装有电机，两个所述电机距离较近的一端均设有转轴，两个所述转轴相对的一端均螺纹安装有打磨盘...