本技术公开了一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备，MOS管芯片包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层还设置有限流走线电阻和/或分压走线电阻；所述限流走线电阻设置在顶层上，用于与主控芯片连接；所述分压走线电阻连接在MOS...

本技术公开了一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备，内置电阻的MOS管芯片包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层上还设置有第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，所述第一走线电阻结构与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的一端...