本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能光伏领域。该方法包括将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；通过所述金属掩模板在...

本发明涉及钙钛矿电池技术领域，且公开了一种提升钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，包括蒸发室、裂解室、镀膜腔室、真空系统、真空计、专用治具和钙钛矿电池，所述蒸发室通过管道与裂解室连接，所述裂解室通过管道与镀膜腔室连接，所述镀膜腔室通过管道与真...

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，...

本发明适用于新能源领域，提供了一种太阳能电池制作方法及太阳能电池。太阳能电池制作方法包括如下步骤：采用掩膜技术在所述太阳能电池的基体的背面形成至少一个P型非晶硅图案与至少一个N型非晶硅图案；采用所述掩膜技术在所述基体的背面的一侧形成与所...

本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其中，该背接触异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，载流子收集层包括设置在第一钝化层上的第一层和设置在第一层上的第二层；第一层由n型非晶硅和...

本实用新型适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结太阳能电池，包括：附着于所述非晶硅层的透明导电氧化物层；以及附着于所述透明导电氧化物层的金属层；所述金属层包括通过激光划线技术形成的、包括主电极和栅线电极的金属电极图案。本实用新...

本发明适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：在非晶硅层表面，通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层表面，通过第二镀膜技术形成一层金属层；通过激光划线技术，按照预设的金...

本实用新型提供一种用于制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的磁性载片舟，属于太阳能光伏技术领域。该载片舟由永磁体和载片舟外壳组成，所述永磁体置于载片舟外壳内，载片舟上表面放置硅片，硅片上方置有掩膜；永磁体在载片舟表面产生磁场，用以吸附住载片...

本实用新型提供一种背接触异质结单晶硅太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。该电池包括：单晶硅基体，正面钝化层，正面抗反射层，背面钝化层，背面基极，背面基极接触电极，背面发射极，背面发射极接触电极，背面保护膜。相对于传统晶硅电池，本实用新型...

本发明提供一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，属于太阳能光伏技术领域。本发明含以下步骤：(1)单晶硅清洗、去损伤层、制绒；(2)单晶硅正面钝化层形成、抗反射层镀膜；(3)单晶硅背面钝化层镀膜；(4)采用掩模技术在单晶硅背面镀膜形...