背接触异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能光伏领域。该方法包括将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极。本发明专利技术解决了如何降低制作背接触异质结太阳能电池的制作成本的问题，实现了金属掩模代替光刻胶制作背接触异质结太阳能电池，提高了制造背接触异质结太阳能电池的效率，降低了硅片镀膜的成本。降低了硅片镀膜的成本。降低了硅片镀膜的成本。

Back contact heterojunction solar cell and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
背接触异质结太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，尤其涉及一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]背接触异质结太阳能电池是一种新型高转化效率电池，业界最高转化效率已达26.63％，为所有硅基太阳能电池中转换效率最高的一种，是最先进的硅基太阳能电池，而制作背接触异质结太阳能电池需要使用掩模。
[0003]目前，广泛使用光刻胶作为掩模，但使用光刻胶制作背接触异质结太阳能电池的制作成本较高，不利于规模化生产制造。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于：提供一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，旨在解决如何降低制作背接触异质结太阳能电池的制作成本的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种背接触异质结太阳能电池制备方法，所述方法包括：
[0006]将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；
[0007]将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；
[0008]通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极。
[0009]可选的，所述通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极之后，所述方法还包括：
[0010]将所述磁性件卸载，依次取下所述硅片与所述金属掩模板，以获得完成所述背接触异质结太阳能电池的发射极与基极交叉排列的镀膜硅片。
[0011]可选的，所述将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面的步骤，包括：
[0012]将所述硅片放置于所述金属掩模板的一侧表面；
[0013]在所述金属掩模板的一侧表面上调整所述硅片的位置，以将所述硅片的位置与所述金属掩模板的位置对应。
[0014]可选的，所述磁性件包括铝镍钴合金、钐钴磁体、铁氧体或者钕铁硼磁体中的任一种。
[0015]可选的，所述磁性件包括居里温度大于300℃的永磁材料。
[0016]可选的，所述磁性件的形状为网状或条块状。
[0017]可选的，所述金属掩模板包括铁、镍或者钴中的至少一种。
[0018]可选的，所述硅片包括N型单晶硅片或者P型单晶硅片。
[0019]可选的，所述硅片的厚度为70～200μm。
[0020]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种背接触异质结太阳能电池，采用如上任一项所述背接触异质结太阳能电池制备方法制备得到。
[0021]本专利技术提出的一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，通过将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面，完成了硅片与金属掩模板定位调整，实现了硅片位置与金属掩模板位置的对应；将磁性件定位后放置于硅片的背离金属掩模板的一侧表面，利用磁性件在放置金属掩模板的硅片表面产生磁场，吸附位于硅片表面上的具有磁性的金属掩模板，使硅片和掩模之间不能有任何相互位移，实现硅片与金属掩模的固定；由于金属掩模板在硅片上镀膜时，磁性件一直位于硅片的背离金属掩模板的一侧表面，使硅片与金属掩模板一直处于固定状态，未发生任何的相互位移，实现了制作背接触异质结太阳能电池过程中，通过磁性件固定金属掩模板与硅片，使金属掩模板代替光刻胶能更精确的在硅片发射极和基极交叉排列的镀膜图案，降低制作成本，提高背接触异质结太阳能电池的转换效率。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术背接触异质结太阳能电池制备方法第一实施例的流程示意图；
[0024]图2为本专利技术第一实施例硅片与金属掩模板固定后的截面结构示意图；
[0025]图3为本专利技术背接触异质结太阳能电池制备方法第三实施例的流程示意图。
[0026]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]需要说明，在本专利技术实施例中，所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0029]在本专利技术中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
[0030]对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。另外，各个实施例的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时，应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0031]由于现有技术中，背接触异质结太阳能电池正面没有任何电极分布，发射极和基极交叉排列于电池背面，分别收集晶体硅光伏效应产生的光生载流子，且电池正面没有金属电极栅线遮挡产生的光学损失，可有效增加电池片的短路电流，极大提高了转换效率，因而在制作背接触异质结太阳能电池过程中需要使用掩模进行制作。但使用光刻胶作为背接触异质结太阳能电池的掩模成本较高，不利于规模化生产制造。
[0032]本专利技术提供一种解决方案，通过磁性件固定金属掩模板与硅片，使金属掩模板代替光刻胶在硅片上镀膜，形成镀膜图案，降低制作背接触异质结太阳能电池的制作成本。
[0033]下面结合附图，通过具体的实施例和实施方式对本专利技术提供的背接触异质结太阳能电池及其制备方法进行详细说明。
[0034]本申请实施例以下，将对本申请技术实现中应用到的背接触异质结太阳能电池制备方法进行说明：
[0035]参照图1，图1是本专利技术背接触异质结太阳能电池制备方法第一实施例的流程示意图。
[0036]本实施例中，所述方法包括：
[0037]步骤S20，将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；
[0038]金属掩模板1是具有固定图形的金属片，能在硅片上镀膜。
[0039]具体的，本实施例中，制造背接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极。2.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极之后，所述方法还包括：将所述磁性件卸载，依次取下所述硅片与所述金属掩模板，以获得完成所述背接触异质结太阳能电池的发射极与基极交叉排列的镀膜硅片。3.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面的步骤，包括：将所述硅片放置于所述金属掩模板的一侧表面；在所述金属掩模板的一侧表面上调整所述硅片的位置，以将所述硅片的位置与...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧生刚，刘万满，
申请(专利权)人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：