一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。通过在半导体基体上设置两组或两组以上并联的基极与发射极，从而形成相互隔离的电池，使电极的长度以及电流的传输距离缩短，继而降低内阻，提高电池的转换效率；由于直接在同一半导体基体上设置多个相互并联的电池，无需对半导体基体进行切割，不仅简化了生产工艺，同时可避免因焊接各半片电池片而产生外部电阻。生外部电阻。生外部电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]背接触异质结电池是一种高转换效率的单晶硅太阳能电池。背接触异质结太阳能电池正面没有任何电极分布，发射极和基极交叉排列于电池背面，分别收集晶体硅光伏效应产生的光生正载流子与负载流子，由于电池正面没有金属电极栅线遮挡产生的光学损失，可有效增加电池片的短路电流，提高了转换效率。背接触异质结太阳能电池中，在P型非晶硅或N型非晶硅与单晶硅基底之间插入一层本征非晶硅，有效改善了单晶硅表面的钝化效果，极大提高了少数载流子寿命，可获得极高的开路电压，从而提高了转换效率。背接触异质结单晶硅太阳能电池结合了上述两种技术的优点，可获得极高的光电转换效率。
[0003]通常在太阳能电池中，由于电池内阻的存在，产生功率损耗，降低了电池的转换效率。为降低内阻引起的损耗，缩短电流在栅线上的传输距离成为一种有效的方法，因此，半片电池片技术广泛应用于组件制作工艺之中。但是采用半片技术需要将整片硅片或电池片切割为半片，在制作半片组件时，用组件焊带、汇流条将半片电池进行焊接，造成了外部电阻的引入，产生较大的功率损耗。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提出一种太阳能电池，包括：
[0005]半导体基体；
[0006]至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及
[0007]第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。
[0008]进一步地，所述基极的一端设有基极连接端，所述发射极的一端设有发射极连接端，所述相邻的两组间的基极连接端相连，且相邻的两组间的发射极连接端相连。
[0009]进一步地，所述每一组内基极与发射极在所述半导体基体的背面上交替排列分布，且在相邻的基极与发射极之间形成第一间隔区间，在相邻的两组基极与发射极之间形成第二间隔区间。
[0010]进一步地，还包括保护膜，所述保护膜设置于所述第一间隔区间与第二间隔区间内。
[0011]进一步地，所述半导体基体的正面依次层叠有第一本征非晶硅钝化层、N掺杂层、抗反射层，所述半导体基体的背面设置有第二本征非晶硅钝化层，所述每一组基极与发射极设置于所述第二本征非晶硅钝化层上。
[0012]进一步地，所述半导体基体为N型单晶硅片或P型单晶硅片；
[0013]和/或，所述基极为n型非晶硅薄膜，所述发射极为p型非晶硅薄膜。
[0014]本专利技术还提出一种太阳能电池制作方法，包括如下步骤：
[0015]在半导体基体的背面镀膜形成至少两组并联连接的基极与发射极；
[0016]在所述基极与发射极上制备至少两组并联连接的第一电极、第二电极。
[0017]进一步地，还包括如下步骤：
[0018]在相邻的基极与发射极之间，以及在相邻的两组基极与发射极之间镀膜形成保护膜。
[0019]进一步地，还包括如下步骤：
[0020]在每一组基极与第一电极以及每一组发射极与第二电极之间镀膜形成导电层。
[0021]进一步地，还包括如下步骤：
[0022]对半导体基体进行清洗、去损伤层、制绒，以及对其背面进行抛光；
[0023]在所述半导体基体正面镀膜形成正面本征非晶硅钝化层；
[0024]在所述正面本征非晶硅钝化层上镀膜形成N掺杂层；
[0025]在所述N掺杂层上镀膜形成抗反射层；
[0026]在所述半导体基体背面镀膜形成背面本征非晶硅钝化层。
[0027]本专利技术的技术方案提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。通过在半导体基体上设置两组或两组以上并联的基极与发射极，从而形成相互隔离的电池，使电极的长度以及电流的传输距离缩短，继而降低内阻，提高电池的转换效率；由于直接在同一半导体基体上设置多个相互并联的电池，无需对半导体基体进行切割，不仅简化了生产工艺，同时可避免因焊接各半片电池片而产生外部电阻。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0029]图1为实施例一太阳能电池的结构示意图；
[0030]图2为实施例一基极以及发射极的隔离结构示意图；
[0031]图3为实施例一两组基极与发射极之间并联连接结构示意图；
[0032]图4为实施例一两组第一电极与第二电极之间并联连接结构示意图；
[0033]图5为实施例二四组第一电极与第二电极之间并联连接结构示意图；
[0034]图6为实施例三太阳能电池制作方法的步骤示意图；
[0035]附图标号说明：
[0036]1‑
抗反射层，2
‑
N掺杂层，3
‑
第一本征非晶硅钝化层，4
‑
半导体基体，5
‑
第二本征非晶硅钝化层，6
‑
基极，7
‑
发射极，8
‑
导电层，9
‑
保护膜，10
‑
第一电极，11
‑
第二电极，24
‑
基极连接端，25
‑
发射极连接端，34
‑
第一电极连接端，35
‑
第二电极连接端，41
‑
第一电池，42
‑
第二电池，43
‑
第三电池，44
‑
第四电池。
[0037]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0040]另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基极的一端设有基极连接端，所述发射极的一端设有发射极连接端，所述相邻的两组间的基极连接端相连，且相邻的两组间的发射极连接端相连。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述每一组内基极与发射极在所述半导体基体的背面上交替排列分布，且在相邻的基极与发射极之间形成第一间隔区间，在相邻的两组基极与发射极之间形成第二间隔区间。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，还包括保护膜，所述保护膜设置于所述第一间隔区间与第二间隔区间内。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体基体的正面依次层叠有第一本征非晶硅钝化层、N掺杂层、抗反射层，所述半导体基体的背面设置有第二本征非晶硅钝化层，所述每一组基极与发射极设...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧生刚，
申请(专利权)人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：