一种电池正面副栅线图形结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种电池正面副栅线图形结构，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。本申请通过将网版中间区域，即扩散方阻偏高的区域，设计成密栅的图形，增加中间区域收集的电流，提高电池片的整体效率。提高电池片的整体效率。提高电池片的整体效率。

【技术实现步骤摘要】
一种电池正面副栅线图形结构


[0001]本技术涉及太阳能电池光伏
，尤其涉及一种适合扩散高方阻的电池正面图形结构。

技术介绍

[0002]光伏硅片尺寸直接影响下游电池片和组件尺寸，当前光伏硅片有5种主流尺寸，分别为156.75、158.75、166、182、210。大尺寸硅片通过增大硅片面积，放大组件尺寸，从而摊薄各环节加工成本。从原来上来说，硅片尺寸越大越好，然而随着硅片尺寸的增大，硅片扩散后的均匀性越来越差，即使许多厂家的扩散炉从常压扩散方式改到低压扩散方式，随着方阻的逐步提高，同一片片子上的最低方阻与最高方阻已经无法控制在5Ω以内，许多硅片的最低方阻与最高方阻差值已经到10Ω，扩散炉炉尾硅片的最低方阻与最高方阻差值已经超过了10Ω。扩散方阻不均匀性的增加，导致电池片的Rs偏高，FF偏低，如果只是整面设计成密栅的图形，会导致硅片边缘低方阻区域的遮光面积增大，收集的电流减少，导致电池片整体的效率得不到提升。

技术实现思路

[0003]解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种适合扩散高方阻的电池正面图形结构，通过将网版中间区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。2.根据权利要求1所述的一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述常规区域使用430目数、13um线径、20...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱小芳，职森森，吴仕梁，张凤鸣，徐建华，范琼，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：