本发明提出一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板、位于所述基板上的栅极、位于所述基板上并完全覆盖所述栅极的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的半导体层以及位于所述半导体层上的刻蚀阻挡层以及源漏极层；所述刻蚀阻挡层包括设置于所述...

本发明提供一种CKV信号检测电路，应用于一液晶面板控制板，该CKV信号检测电路包括第一LED、第二LED、第一光传感器、第二光传感器以及判断模块。所述第二LED与所述第一LED并联且反相设置，所述第一LED及第二LED之间的节点用于接收...

本发明提供一种背光模块，包括光源、导光板、光学膜片和量子点膜片，所述导光板包括出光面、与所述出光面相对设置的背光面和连接所述出光面和所述背光面的侧面，所述光源邻近所述导光板的所述侧面以向所述导光板发射光线，所述量子点膜片包括色域转换区和...

本发明提供一种OLED显示装置及源极驱动器。源极驱动器的输出通道分为奇数输出通道(ODD)、和偶数输出通道(EVEN)，通过在源极驱动器内增设的奇偶选择模块(33)根据选通使能信号(EN)、及奇偶选择信号(SEL)，控制逻辑电路和驱动模...

本发明公开一种制作液晶显示面板的方法，所述方法包含：提供一晶体管阵列基板；提供一第二玻璃基板；于所述第二玻璃基板上形成黑色矩阵层，所述黑色矩阵层包含数个黑色遮光单元；及形成第二彩色膜层于所述第二玻璃基板上，所述第二彩色膜层具有数个彩色膜...

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的多个平行且间隔的第一、第二栅极线及公共电极线，及与第一栅极线交叉的多个公共电极线，相邻的第一、第二栅极线及两条数据线之间限定一个像素区域，像素区域内设置第一、第二像...

本发明提供一种像素电极结构以及液晶显示面板，包括条状的水平主干，条状的竖直主干，与条状的水平主干相交，以及多条条状分支，多条条状分支相对于竖直主干与水平主干相交的中心点向外发散，其中，水平主干与竖直主干内设置有至少一个狭缝。本发明所提供...

本发明公开了一种像素补偿电路、方法、扫描驱动电路及平面显示装置。像素补偿电路包括第一可控开关的控制端连第一扫描线，第一端连数据线以接收数据电压；第一可控开关的第二端经存储电容连驱动开关的控制端，驱动开关的第一端连接电压端；第二可控开关的...

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和液晶面板。所述薄膜晶体管阵列基板包括具有一透明基板，还包括：栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、源极电极与漏极电极，以及，像素电极。本发明的薄膜晶体管阵列基板通过采用MoTi电极取代传...

本发明公开一种彩膜基板的彩色层脱落率的测试方法，所述方法包括：切割彩色层以形成宫格图形，形成位于所述宫格图形区域内的彩色层待测区；沿所述宫格图形的对角线方向扫刷所述彩色层待测区；测量所述彩色层待测区的透射比，得到第一吸光度；黏附胶带至所...

本发明公开了一种校准OLED显示面板亮度不均的方法，该方法包括：获取OLED显示面板在至少三个灰阶下的亮度矩阵；根据亮度矩阵确定亮度均匀区域和亮度不均匀区域；测量亮度均匀区域的实测Gamma曲线，根据亮度矩阵计算亮度不均匀区域中各个像素...

本发明提供了一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括依次在衬底上形成栅极、栅极绝缘层、源极与有源层、钝化层、漏极与像素电极，栅极、栅极、栅极绝缘层、源极与有源层、钝化层、漏极与像素电极在衬底上的正投影均为互相同心的中心对称图形。本发明还提供了...

本发明公开了一种像素单元以及阵列基板，所述像素单元包括：薄膜晶体管TFT以及与所述TFT电连接的存储电容，所述存储电容包括相对设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层相对所述第二金属层的一面设置有凹凸图案。能够保证液晶显示装置解析度...

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及液晶面板。该薄膜晶体管包括：栅极；依次覆盖栅极的栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；形成于欧姆接触层上且间隔设置的源极和漏极；其中，欧姆接触层为纳米晶相欧姆接触层。通过上述方式，本发明能够在有效降低薄...

本发明提供一种阵列基板，包括层叠设置的基板、像素层和金属线层，所述金属线层设于所述像素层和所述基板之间，所述像素层包括以阵列方式排布的多个电极区域，各所述电极区域内均设有一正方形过孔，所述金属线层包括多个金属线，所述多个电极区域与所述多...

本申请公开了一种调整显示器尺寸的方法，包括步骤：提供一显示器，显示器包括第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的图像生成介质；在所述第一基板上设置第一切割线，在第二基板上设置第二切割线，且第一切割线在第二基板上的正投影与第二切...

本发明提供一种CMOS器件及其制备方法。CMOS器件包括依次层叠设置的基板、第一金属层、绝缘层及第一类型金属氧化物半导体层；还包括分别间隔设置在绝缘层上的第一、第二及第三金属部，第一及第二金属部间隔设置在第一类型金属氧化物半导体层两侧且...

本发明提供一种液晶显示面板的制作方法，利用石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电膜代替TFT基板和CF基板上传统的ITO透明导电膜，并在液晶显示面板的液晶混合物中加入极性材料，该极性材料的结构通式为A-B，其中，头基A的主要作用是使得极...

本发明涉及一种RGB信号到RGBY信号的图像转换方法，其包括步骤：接收RGB输入信号RiGiBi；判断所述RGB输入信号的颜色是否为黄色；以及确认所述RGB输入信号为非黄色时，计算RGBY输出信号RoGoBoYo并输出，其中Yo＝0，R...

本发明提供一种低温多晶硅TFT背板的制作方法，通过在非晶硅层(3’)对应欲形成TFT沟道区的区域上形成光阻图案(4)，以所述光阻图案(4)为遮蔽层，向非晶硅层(3’)植入高剂量的掺杂离子，在非晶硅层(3’)对应欲形成TFT沟道区的区域内...