液晶显示面板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板的制作方法，利用石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电膜代替TFT基板和CF基板上传统的ITO透明导电膜，并在液晶显示面板的液晶混合物中加入极性材料，该极性材料的结构通式为A-B，其中，头基A的主要作用是使得极性材料与石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电膜之间产生较大的分子间作用力，而尾基B的主要作用是类似于PI支链的作用以立体障碍的方式使液晶分子垂直排列，起到垂直配向的效果；即该极性材料能够与石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电膜之间产生较大的分子间作用力而垂直排列于TFT基板和CF基板的表面上，从而引导液晶分子垂直排列，进而可代替PI配向膜起到液晶配向的效果，省去PI配向膜制程，降低配向膜的生产成本，提升产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及显示
，尤其设及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示装置（TFT-LCD，Thin Film TransistorLiquid Oystal Display)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的TFT-LCD 大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液 晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与 否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。 通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管(TFT)基板、夹于 CF基板与TFT基板之间的液晶化C，Liquid Crystal)层及密封胶框(Sealant)组成。在TFT-LCD显示器中，基于液晶的运作模式的分类有:相变(phase change,PC)、扭转向列（twisted nematic, TN)、超扭转向列（s 叩 er twisted nematic, STN)、垂直配向型（Vertical Al ignment，VA)、横向电场切换型（In plane Switching ,IPS)等。针对常见的VA显示模式而 言，需要在CF基板、TFT基板面向液晶层的一侧上同时分别设置一层透明导电膜，该透明导 电膜的主要作用是在CF基板和TFT基板之间形成电场，驱动液晶分子偏转，从而实现亮暗的 显示。 目前，传统的透明导电膜是由物理气相瓣射(PVD)的方法制备出的氧化铜锡（ITO) 薄膜。具体制作过程为:在PVD装置中，强电流轰击ITO祀材，在基板上沉积得到透明导电ITO 薄膜。但是由于ITO本身氧化物的物理特性，ITO薄膜并不能在一定外力作用下展现弯折特 性，运也限制了其在柔性面板，可穿戴设备上的应用。另一方面，随着国家政策的导向，铜的 成本也逐渐涨高。所W寻找高导电性和透光率、制备方法简单、资源丰富的ITO替代品具有 重要的意义和价值。 另外，在液晶显示面板的TFT基板及CF基板上还需分别设置一层配向膜，该配向膜 与LC接触后，能够使得LC产生一定方向的预倾角，从而给液晶分子提供一个承载的角度(预 倾角的大小对TFT-LCD的驱动电压、对比度、响应时间、视角等具有重要影响），配向膜的材 料通常选用聚酷亚胺(P〇lyimide，PI)材料，主要分为摩擦配相型PI材料和光配相型PI材 料，但是，无论哪种配向材料都有各自的缺点。其中，摩擦配相型PI材料通过摩擦配向法 (RiAbing)形成配向膜，摩擦配向法是在高分子PI膜表面用绒布滚轮进行接触式的定向机 械摩擦，摩擦高分子表面所提供的能量使高分子主链因延伸而定向排列，从而控制支链与 LC相互作用，使LC按照预倾角的方向排列；因此，在摩擦配向时容易造成粉尘颗粒、静电残 留、刷痕等问题降低工艺良率。而光配相型PI材料通过光配向法（photo-alignment technology)形成配向膜，光配向法是利用紫外光敏聚合物单体材料的光化学反应产生各 向异性，液晶分子与配向膜表面支链相互作用，为达到能量最小的稳定状态，液晶分子沿着 光配向所定义的受力最大的方向排列，该光配相型PI材料可W解决上述问题，但由于材料 特性受限，耐热性和耐老化性不佳，同时错定LC的能力也较弱，从而影响面板的品质。除此 之外，PI材料本身就具有高极性和高吸水性，存储和运送容易造成变质而导致配相不均，并 且PI材料价格昂贵，在TFT-LCD上成膜的工艺也较为复杂，导致面板成本提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，利用石墨締/P邸〇T:PSS复 合透明导电膜代替TFT基板和CF基板上传统的口0透明导电膜，同时在液晶混合物中混入一 种极性材料，可代替PI配向膜达到使得液晶分子垂直取向的效果从而制备出一种可省去PI 配向膜的液晶显不面板。 为实现上述目的，本专利技术提供一种，包括W下步骤：[000引步骤1、提供TFT基板和CF基板，在所述TFT基板和CF基板的一侧上分别形成第一导 电膜和第二导电膜，所述第一、第二导电膜均为石墨締/P邸0T:PSS复合透明导电膜； 步骤2、将极性材料混入液晶材料中，得到液晶混合物； 所述极性材料的结构通式为A-B，其中， A指的是与B相连的一个或多个极性基团，所述极性基团为伯胺基、仲胺基、叔胺 基、-OH、-COOH、-甜、-S i (邸3) 3、或-CN; B指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中的某个C此基团被苯 基、环烷基、-〇-、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-CO-或-CH=CH-基团所取代后得到的第一基团、该 烷基中的某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者该第一基团中的某个H原子 被F或Cl原子取代后得到的第=基团； 步骤3、采用滴下式注入法将所述步骤2得到的液晶混合物滴加到TFT基板的第一 导电膜一侧上或者CF基板的第二导电膜一侧上； 步骤4、将TFT基板与CF基板进行真空对组，得到液晶显示面板;此时，所述极性材 料与TFT基板上的第一导电膜及CF基板上的第二导电膜之间产生较强的分子间作用力而在 TFT基板和CF基板的表面垂直排列，进而引导液晶材料中的液晶分子垂直排列，从而起到液 晶配向的作用。 所述极性材料的结构式为： 所述步骤2得到的液晶混合物中，所述极性材料的含量为0.1~5wt%。 所述步骤1中提供的TFT基板和CF基板预形成第一与第二导电膜的一侧上的一侧 上分别设有数个屋脊状的凸起物。 所述步骤1具体包括W下步骤： 步骤11、按照石墨締粉末、水系表面活性剂、及去离子水的质量比为1:50~500: 2000~100000的比例将石墨締粉末与水系表面活性剂投入去离子水中并进行超声分散，得 到石墨締溶液； 步骤12、将所述石墨締溶液与一定浓度的阳DOT = PSS溶液按质量比为1:100至100: 1的比例混合，超声处理后，得到分散均匀的石墨締/P邸〇T:PSS混合溶液； 步骤13、采用湿法涂布工艺将所述石墨締/P抓0T:PSS混合溶液分别涂布于TFT基 板和CF基板上，进行成膜，得到石墨締/P邸OT: PSS薄膜； 步骤14、将成膜后的TFT基板和CF基板使用去离子水多次冲洗，W去除石墨締/ 阳DOT: PSS薄膜内的水系表面活性剂，增加石墨締/P邸OT: PSS薄膜的导电性； 步骤15、对所述石墨締/P抓0T:PSS薄膜进行干燥处理，将薄膜内的水分去除，得到 干燥的石墨締/P抓〇T:PSS复合透明导电膜，即得到分别位于TFT基板一侧上的第一导电膜 和CF基板一侧上的第二导电膜。所述步骤11中，所述水系表面活性剂为十二烷基硫酸钢、十二烷基硫酸锭、十二烧 基横酸钢、十二烷基苯横酸钢或十四烷基硫酸钢;采用超声仪进行超声分散，超声功率为50 ~400W，超声时间为5~60min。 所述步骤12中，所述PEDOT: PSS溶液由去离子水与PEDOT: PSS配制而成，且所述 阳DOT: PSS溶液中阳DOT: PSS的质量百分比为1~1 OOwt %。 所述步骤13中，所述湿法涂布工艺为喷涂、旋涂、漉涂、狭缝挤压涂布、浸涂、刮涂、 凹版印刷、喷墨打印或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供TFT基板(10)和CF基板(20)，在所述TFT基板(10)和CF基板(20)的一侧上分别形成第一导电膜(31)和第二导电膜(32)，所述第一、第二导电膜(31、32)均为石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电膜；步骤2、将极性材料(51)混入液晶材料(52)中，得到液晶混合物；所述极性材料(51)的结构通式为A‑B，其中，A指的是与B相连的一个或多个极性基团，所述极性基团为伯胺基、仲胺基、叔胺基、‑OH、‑COOH、‑SH、‑Si(CH3)3、或‑CN；B指的是具有5～20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中的某个CH2基团被苯基、环烷基、‑O‑、‑CONH‑、‑COO‑、‑O‑CO‑、‑CO‑或‑CH＝CH‑基团所取代后得到的第一基团、该烷基中的某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者该第一基团中的某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团；步骤3、采用滴下式注入法将所述步骤2得到的液晶混合物滴加到TFT基板(10)的第一导电膜(31)一侧上或者CF基板(20)的第二导电膜(32)一侧上；步骤4、将TFT基板(10)与CF基板(20)进行真空对组，得到液晶显示面板；此时，所述极性材料(51)与TFT基板(10)上的第一导电膜(31)及CF基板(20)上的第二导电膜(32)之间产生较强的分子间作用力而在TFT基板(10)和CF基板(20)的表面垂直排列，进而引导液晶材料(52)中的液晶分子垂直排列，从而起到液晶配向的作用。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰松，李泳锐，胡韬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44