本公开实施例提供了一种半导体复合衬底的制备方法，通过对将氢离子注入后的薄膜转移衬底的Si面进行面型处理，在Si面的表面形成的损伤层可以抵消氢离子注入后产生的应力形变，从而得到低翘曲度的薄膜转移衬底，提升后续键合质量，最终可以得到高质量的...

本发明公开了一种半导体集成器件及其制备方法，该半导体集成器件的制备方法包括：提供衬底，并在衬底上依次形成沟道层和势垒层，衬底包括至少两个器件分区，至少两个器件分区包括第一器件分区和第二器件分区；在势垒层背离沟道层的一侧形成位于第一器件分...

本申请提供一种金刚石生长方法及衬底，涉及金刚石材料生长技术领域，旨在能够获得大面积的金刚石单晶，该方法包括形成籽晶拼接层，籽晶拼接层包括在自身厚度方向上相背的第一表面和第二表面，第一表面设有开槽；在开槽内形成多个凹槽，并在开槽内形成基础...

本公开提供了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决多片衬底键合在一起后，键合界面电阻较高，导致复合衬底的导通电阻较高的问题；所述复合衬底包括：依次堆叠设置的第一衬底、功能层和第二衬底；第一衬底和第二...

本公开的实施例提供一种半导体器件和芯片，涉及半导体技术领域，用于实现增强型和耗尽型的单片集成；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅极层、第一帽层和第二帽层；沟道层和势垒层层叠设置于衬底上，势垒层相比沟道层远离衬底；栅极层设于势垒层远...

本公开提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于在提升半导体器件击穿电压的同时降低其动态导通电阻；该半导体器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、势垒调制层、栅极、源极和漏极；其中，缓冲层中掺杂受主元素，缓冲层包括第...

本公开实施例提供了一种大尺寸单晶金刚石结构及其制备方法，通过将至少两个金刚石籽晶分别嵌入贯穿金属铱膜层和钇稳定氧化锆层厚度的凹槽内，这样可以利用同质外延技术在金刚石籽晶上生长单晶金刚石外延层，同时利用异质外延技术在金刚石籽晶之间的金属铱...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件结构、制作方法及电子器件，上述半导体器件结构包括：衬底，依次设于衬底之上的缓冲层、沟道层、势垒层以及栅极盖帽层，上述栅极盖帽层包括第一晶体管结构和第二晶体管结构，半导体器件结构还包括：第一晶...

本公开提供一种半导体器件及功率设备，在4H‑SiC沟道层的碳面(000‑1)外延生长3C‑SiC载流层，由于4H‑SiC沟道层的自发极化，可以在3C‑SiC载流层和4H‑SiC沟道层的界面处诱导出2DEG，可以实现非常高的2DEG密度。...

本公开提供了一种半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体器件性能较差的问题；半导体器件包括衬底和多个晶体管；多个晶体管位于衬底的一侧，晶体管包括沟道层、势垒层和栅极；势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；栅极位于势垒层远离衬底的一...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电极与金刚石衬底表面的粘附性较差问题；所述半导体器件包括金刚石衬底、介质层、电极和栅极；介质层设于金刚石衬底的一侧；栅极设于介质层远离金刚石衬底的一侧；电极设...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决增强型半导体器件中，栅极与沟道层之间的区域的2DEG浓度较高，将其耗尽变得困难的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层和势垒层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极...

本申请提供了一种阈值电压检测电路及检测设备，涉及半导体测试的技术领域，阈值电压检测电路包括第一脉冲输出电路、第二脉冲输出电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和检测电路，第一脉冲输出电路用于接收第一正电压和第一负电压，第二脉冲输...

本申请提供了一种漏电流检测电路及检测设备，属于半导体测试的技术领域，该漏电流检测电路包括脉冲输出电路、供电电路、检测电路和保护电路；其中，脉冲输出电路的输出端用于连接待测功率半导体的控制端，供电电路的第一电压端用于连接待测功率半导体的第...

本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括第一区域，以及位于所述第一区域周围的第二区域,所述半导体器件包括衬底、功能层以及漂移层,功能层设于所述衬底之上,漂移层设于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述...

本公开的实施例提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于使半导体器件在增强型的条件下，实现反向偏压下的导通；该半导体器件包括衬底、栅极、叠层结构、第一电极、第一介质层、第二介质层和第二电极；栅极设于衬底沿第一方向上...

本公开提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于使半导体器件在增强型的条件下，实现反向偏压下的导通；该半导体器件包括衬底、栅极、导电电极、第一电流阻挡层、第一掺杂层、第一电极、第二电流阻挡层、第二掺杂层和第二电极、...

本公开提供了一种芯片和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决芯片的膜层间的翘曲问题，芯片包括：元胞区和围绕元胞区的终端区；芯片还包括：基底、位于基底一侧的多层绝缘层以及位于终端区的第一类嵌套结构；其中，第一类嵌套结构包括：第一嵌套结...

本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括N‑漂移层；在N‑漂移层一侧的N+衬底；贯穿N+衬底的沟槽；N‑漂移层朝向N+衬底的表面接触N‑缓冲层；在沟槽朝向N‑缓冲层一侧的P+阳极；在沟槽内与P+阳极远离N‑漂移层的表面接触、在沟槽...

本公开实施例提供了一种大尺寸单晶金刚石的制备方法及大尺寸单晶金刚石，将两片或多片单晶金刚石籽晶叠放在一起，在垂直方向上无拼接缝，从结构上通过同质外延生长很容易获得大尺寸、无拼接缝的高质量单晶金刚石外延层，因此本公开通过单晶金刚石籽晶叠放...