本发明适用于无线通信技术领域，尤其涉及一种基于多物理场分离自由度的仿真方法、系统及相关设备。本发明提出了一种基于多物理场中分离自由度的仿真方法，该方法对于有限单元法构建的滤波器件的矩阵中的内部自由度的矩阵，利用多物理场的仿真中只有部分物...

本发明适用于无线通信技术领域，尤其涉及一种基于多物理场分离自由度的仿真方法、系统及相关设备。本发明提出了一种基于多物理场中分离自由度的仿真方法，该方法对于有限单元法构建的滤波器件的矩阵中的内部自由度的矩阵，利用多物理场的仿真中只有部分物...

本实用新型提供了一种功率放大器和差分功率放大器电路，功率放大器包括信号输入端、输入阻抗匹配电路、第三晶体管、级间匹配电路、第一晶体管、第二晶体管、输出阻抗匹配电路、信号输出端、第一电容、第一电感、第二电感和第三电感；第一晶体管的集电极分...

本发明公开了一种小型化高选择性IPD带通滤波器及射频前端，包括由集总电容及集总电感构成的四个谐振器，相邻谐振器之间通过集总电容形成耦合，四个谐振器分别为第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器及第四谐振器，其中，第一、第三及第四谐振器由集总电...

本实用新型提供了一种自适应线性功率放大器及射频芯片，其包括依次连接的信号输入端、输入匹配网络、第一晶体管和信号输出端、以及用于为第一晶体管提供偏置电压的自适应偏置电路，自适应偏置电路包括温度补偿电路、第一电容、第二晶体管、第一电阻以及第...

本发明公开了一种滤波器模组的热仿真方法、系统及相关设备，其中，滤波器模组的热仿真方法包括步骤：建立包含谐振器和双模声表面波滤波器的等效电路；绘制电学版图；根据等效电路确定输入信号的频率和功率；并根据输入信号的频率和功率获取谐振器的发热功...

本发明提供了一种交流电压堆叠的功率放大器，其包括依次连接的信号输入端、输入匹配网络、驱动级放大器、级间匹配网络、交流电压堆叠电路、输出匹配网络、信号输出端、以及偏置电路，第一晶体管的基极作为第一输入端连接级间匹配网络的输出端，第一晶体管...

本发明适用于压电材料力电耦合技术领域，尤其涉及一种有限单元仿真的网格矩阵生成方法、系统及相关设备。本发明提出了一种在声表面波器件的仿真过程中利用不同尺寸的有限元网格之间的数学关系来快速计算获得单元矩阵的方法，相较于现有技术，本发明的方法...

本发明适用于压电仿真技术领域，尤其涉及一种多声表面波器件的组合仿真方法、系统及相关设备。本发明提出了一种在建模时暴露出滤波器件中每个电路元件的端口的多声表面波器件的组合仿真方法，该方法通过建立基于电路元件端口的P矩阵模型，并利用矩阵模型...

本实用新型提供了一种射频放大器电路和射频芯片，射频放大器电路包括输入匹配电路、第一电容、偏置电路、射频放大晶体管、第一电感、输出匹配电路、低通滤波器以及稳定网络模块，所述低通滤波器包括第二电感和第二电容；所述稳定网络模块包括第一电阻和第...

本发明公开了一种射频功率放大器及射频功放模组，其中，所述射频功率放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一电容、第二电容、第一偏置电路、第一功率放大器、第三电容、第四电容、第二偏置电路、第二功率放大器、级间匹配网络、第五电容、第六电容、第...

本发明提供了一种低噪声放大器和射频芯片，低噪声放大器包括信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络、信号输出端、第一开关、第三开关、第四开关、旁路匹配电路、晶体管偏置接入电路和控制逻辑电路；输出...

本发明实施例公开了一种新型混合射频功率放大器，包括依次连接的CMOS驱动放大器、GaAs功率放大器以及输出巴伦；其中所述CMOS驱动放大器包括功率合成网络、第一级放大器、第二级放大器一和第二级放大器二，所述第一级放大器、所述第二级放大器...

本发明提供了一种声表面波滤波器及射频芯片，声表面波滤波器包括压电基板、分别固定于压电基板上且相互间隔的第一纵向耦合型滤波器、第二纵向耦合型滤波器、弯折电感、第一输出端子以及第二输出端子；第一纵向耦合型滤波器包括第一汇流条和第二汇流条、第...

本发明提供了一种射频功率放大器，射频功率放大器包括依次电连接且集成在同一基板上的信号输入端、采用CMOS工艺实现的驱动放大器、采用GaAs HBT工艺实现的功率放大器、功率合成网络以及信号输出端；驱动放大器依次电连接的第一级放大器、级间...

本发明提供了一种低噪声放大器及射频芯片，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；共源共栅低噪声...

本发明提供一种集成射频功率放大器和射频设备，所述集成射频功率放大器包括依次连接且集成在同一基板上的依次连接的采用CMOS工艺实现的驱动放大器和采用GaAs HBT工艺实现的功率放大器；所述驱动放大器包括依次连接的输入巴伦网络、第一级放大...

本发明提供了一种双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组，封装方法包括以下步骤：S1、提供压电衬底；S2、通过光刻工艺在压电衬底上制作第一插指组件和第二插指组件；S3、通过光刻工艺在压电衬底上制出第一围堰和第二围堰；S4、通过光刻工艺...

本发明适用于热仿真领域，尤其涉及一种滤波器件能量耐受值的预测方法、系统及相关设备。本发明提出了一种将电学仿真、热仿真与实际测试相耦合的滤波器件的能量耐受值的预测方法，通过将多种仿真数据耦合计算得到功率预测因子，使得计算耐受值时能够体现电...

本发明适用于压电材料力电耦合技术领域，尤其涉及一种多对称声表面波器件的快速仿真方法、系统及相关设备。本发明针对渐进式多对称的声表面波滤波器的特殊结构，以及有限元方法中矩阵对称的数学关系，在声表面波滤波器的仿真过程中利用矩阵的取反与对等关...