低噪声放大器和射频芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种低噪声放大器和射频芯片，低噪声放大器包括信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络、信号输出端、第一开关、第三开关、第四开关、旁路匹配电路、晶体管偏置接入电路和控制逻辑电路；输出匹配网络包括第一输出匹配电路和第二输出匹配电路；共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第二开关、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感和第三电感；控制逻辑电路用于分别控制晶体管偏置接入电路、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的导通或关闭的开关动作。与相关技术相比，采用本发明专利技术的技术方案的模式功能多样，有效实现单独频段的带外窄带抑制，抗干扰能力强且灵敏度高。敏度高。敏度高。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大器和射频芯片


[0001]本专利技术涉及放大器电路领域，尤其涉及一种低噪声放大器和射频芯片。

技术介绍

[0002]随着人类进入信息化时代，无线通信技术有了飞速发展，从手机，无线局域网，蓝牙等已成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信技术的进步离不开射频电路的发展。在无线收发系统中，射频的低噪声放大器是重要的组成部分之一，低噪声放大器将信号进行功率放大，获得足够的射频功率以后，信号才能馈送到天线上辐射出去。其中，低噪声放大器的增益和回波损耗为重要的性能指标。
[0003]相关技术的低噪声放大器一般包括输入匹配电路、共栅共源放大器和输出匹配电路。低噪声放大器通过共栅共源放大器将输入匹配电路输入的功率信号进行处理后，再通过输出匹配电路进输出，从而实现低噪声的功能。
[0004]然而，相关技术的低噪声放大器通过共栅共源放大器进行信号放大，输出固定的低噪声功率信号，功能单一，可靠性差。另外，低噪声放大器的接收通路可同时应用在5GHz WiFi频段和2.4GHz WiFi频段，但是，在5GHz WiFi频段的接收通路应用时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第一开关、第三开关、第四开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；所述输出匹配网络包括用于实现对单独频段滤波的第一输出匹配电路和用于将输出阻抗转换至预设的目标输出阻抗的第二输出匹配电路；所述共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第二开关、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感以及第三电感；所述信号输入端连接至所述第一电感的第一端；所述第一电感的第二端分别连接至所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端；所述第一开关的第二端分别连接至所述旁路匹配电路的输入端和所述第四开关的第一端；所述第四开关的第二端接地；所述旁路匹配电路的输出端连接至所述第三开关的第一端；所述第三开关的第二端分别连接至所述第一输出匹配电路的输出端和所述第二输出匹配电路的输入端；所述第二开关的第二端连接至所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端连接至所述第一晶体管的栅极；所述第一晶体管的源极连接至所述第二电感的第一端；所述第二电感的第二端连接至所述晶体管偏置接入电路的第一端；所述晶体管偏置接入电路的第二端接地；所述晶体管偏置接入电路的第三端用于连接至外部的控制逻辑电路以实现控制所述第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关的动作；所述第一晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的源极；所述第二晶体管的栅极接地；所述第二晶体管的漏极分别连接至所述第一输出匹配电路的输入端和所述第三电感的第一端；所述第三电感的第二端用于连接至电源电压；所述第二输出匹配电路的输出端连接至所述输出电阻衰减网络的第一端；所述输出电阻衰减网络的第二端连接至所述信号输出端；所述输出电阻衰减网络的第三端接地。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第三电容；所述第三电容的第一端连接至所述第二晶体管的栅极；所述第三电容的第二端接地。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二电阻；所述第二电阻的第一端连接至所述第二晶体管的栅极；所述第二电阻的第二端用于连接至第二偏置电压。4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第一电阻；所述第一电阻的第一端连接至所述第一晶体管的栅极；所述第一电阻的第二端用于连接至第一偏置电压。5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路匹配电路包括第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊华，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：