本发明实施例提供了一种存储介质中数据恢复方法、数据恢复系统及相关设备，用于实现“双重失效”的场景下的数据恢复，提高数据存储的稳定性。本发明实施例方法包括：当在存储介质写入数据的过程中出现写失败的情况时，提取写失败数据对应的原数据以及所述...

本发明涉及计算机技术领域，公开了一种固态硬盘日志处理方法、固态硬盘和电子设备。所述方法包括：获取处理器生成的日志文件，对所述日志文件进行解析，生成日志信息，所述日志信息包括时间信息和日志内容；将日志信息通过端口发送给工程设备，从而使工程...

本发明实施例涉及固态硬盘应用领域，公开了一种闪存控制器、固态硬盘及其控制器、闪存命令控制方法，所述闪存控制器包括至少一个闪存通道，每一闪存通道均包括自动命令管理模块、IO管理模块以及闪存IO模块，其中，自动命令管理模块用于存储和管理多个...

本发明实施例涉及固态硬盘应用领域，公开了一种数据恢复方法、装置及固态硬盘，所述方法包括：在固态硬盘发生异常之后，将第一内存空间的内存数据拷贝到第二内存空间的固化区域，再将固化区域的地址信息写入到第三内存空间；在控制器第一次复位之后，根据...

本发明实施例涉及固态硬盘技术领域，公开了一种SSD控制器、固态硬盘及数据写入方法。包括：NVMe控制器，用于获取写命令；中央处理器，与NVMe控制器电连接，用于接收并解析写命令,并返回给NVMe控制器，使NVMe控制器根据写命令，搜索缓...

本发明实施例涉及固态硬盘应用领域，公开了一种缓存的动态分配方法、装置及DRAM‑Less固态硬盘，DRAM‑Less固态硬盘包括主控制器，主控制器包括缓存空间，缓存空间包括数据缓存以及映射表缓存，该方法包括：预先分配数据缓存以及映射表缓...

本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种测试单元、系统及控制器、存储设备。其中该测试单元，应用于测试系统，包括命令解析器、任务管理器以及缓存器，命令解析器转发解析后的测试命令到任务管理器，任务管理器接收命令解析器发送的解析后的测...

本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统。其中所述的闪存芯片，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述闪存芯片包括多个闪存通道，每一闪存通道对应设置有一个信号标志单元，所述信号标志单元通过...

本实用新型涉及智能存储技术技术领域，公开了一种固态硬盘，所述固态硬盘包括：外壳；芯片组，安装于所述外壳内，所述芯片组包括闪存芯片；以及显示器，安装于所述外壳外，并与所述芯片组相连，所述显示器用于显示所述闪存芯片的状态数值信息。通过配置用...

本发明实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种垃圾回收方法、装置及非易失性的存储设备。其中所述的垃圾回收方法，包括：在所述存储设备的空闲物理块的数量小于预设数量阈值时，获取所述存储设备的每一物理块的擦除时间间隔、有效物理页的比例以及擦除次...

本发明实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种磨损均衡方法、装置及非易失性的存储设备。其中所述的磨损均衡方法，包括：建立空闲物理块链表和数据物理块链表，空闲物理块链表和数据物理块链表均由按照擦除次数从大到小排序的非SLC物理块组成；将所述...

本发明实施例提供了一种存储装置的健康状态预测方法及系统，以提升存储单元健康状态获取的便捷性及可靠性。本发明实施例方法包括：将每个存储单元在存储装置中的位置信息，映射为多维空间中的位置坐标，位置信息与位置坐标之间一一对应；获取全部存储单元...

本发明实施例涉及固态硬盘应用领域，公开了一种数据写入方法、装置及DRAM‑Less固态硬盘。其中所述的数据写入方法，包括：为所述分组配置至少一个SLC物理块，建立每一SLC物理块与所述分组中的一个非SLC物理块的绑定关系；当所述SLC物...

本发明涉及存储领域，公开一种闪存主控芯片及其控制方法、测试方法及存储设备，包括：确定物理层的工作状态；根据物理层的工作状态，选通输入通道，输入通道包括物理层可向I/O接口配置第一操作时序的第一数据通道，或者，与物理层连接的控制器可向I/...

本发明涉及存储领域，公开一种闪存数据映射方法、DQ映射模组、闪存主控芯片及存储设备，方法包括：获取操作闪存颗粒的片选命令，根据片选命令，确定目标闪存颗粒及与目标闪存颗粒对应的若干组引脚映射关系，并根据每组引脚映射关系，建立映射数据通道，...

本申请实施例公开了一种数据存储方法、存储控制器、固态硬盘及计算机存储介质，用于提高存储器的数据存储的有效性和可靠性。本申请实施例方法包括：获取待存储数据，对待存储数据进行分割，得到多个数据块，从存储器中的若干个逻辑单元的存储单元中确定多...

本发明实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存写入方法、闪存芯片及非易失性的存储设备，闪存写入方法包括为每一位线设置对应的状态标志位，获取至少一个字线中的全部存储单元的目标比特值；进行电压脉冲，读取至少一个字线中的全部存储单元的当前比...

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种降低闪存滞留错误的方法、装置及固态硬盘。该方法包括：获取目标电压；在对存储器储存单元写入电压时，将所述目标电压作为所述写入电压写入，其中，所述目标电压为大于所述存储器储存单元的最优电压，并且满足所...

本发明涉及数据存储领域，公开了一种随机编码方法及固态硬盘。其中，所述随机编码方法应用于固态硬盘，包括：接收输入数据；根据线性反馈移位寄存器，产生随机序列；基于所述随机序列，对所述输入数据进行逻辑运算，以获得待存储数据，其中，所述输入数据...

本申请公开了一种数据纠错方法、装置、设备及可读存储介质。本申请公开的方法包括：S11、获取待纠错的目标数据；S12、利用纠错码对目标数据进行纠错，获得第一数据；S13、判断第一数据是否纠错成功；若是，则执行S15；若否，则执行S14；S...