本实用新型提供一种轴向永磁辅助磁阻型复合转子高速电机，涉及高速电机技术领域。该电机由两组磁极相关的三相6/4定转子凸极构成复合结构，包括两组定子铁芯、两组转子铁芯、转轴、电枢绕组、机壳、导磁材料、永磁体和永磁体保护套，两组转子铁芯、导磁...

本实用新型提供一种具有混合冷却结构的轴向永磁辅助径向磁阻高速电机，涉及电机技术领域。该电机在双组6/4极开关磁阻电机结构的基础上设置了风冷和水冷结构，包括机壳、前端盖、后端盖、转子和定子，定子和转子的齿间槽构成冷却风道，端盖上设有排风孔...

一种轴向永磁辅助磁阻电机，属于直流电机技术领域；该电机包括：两组定子、两组转子、固定于转轴中央的永磁体、永磁体两侧包绕于转轴的楔形槽，两组转子固定在楔形槽上，两组定子分别设置于两组转子外部，两组定子外部固定机壳，每组定子上有9个凸极，每...

一种不对称励磁定子错角双凸极电机，属于直流电机技术领域；电机包括：电机转轴、导磁材料、中央电励磁线圈、两组凸极定子、两组凸极转子和定子绕组，转子分布4个凸极齿，定子分布6个凸极齿，第二组凸极定子相对于第一组凸极定子错开30°机械角度，定...

本发明属于电磁超声检测领域，涉及一种电磁超声换能器的完好性实时的检测系统。包括激励线圈工作期间检测电路、切换电路、激励线圈非工作期间检测电路、磁铁磁性检测电路、电源电路、主机电路、按键电路、故障显示电路和蜂鸣器报警电路。以单片机为主控芯...

本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，可实现传统意义上...

本发明涉及一种源漏阻变式双向开关场效应晶体管及其制造方法。本发明所述器件具有左右对称的结构特征，通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变肖特基势垒隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗反向泄漏电流、低亚阈值摆幅和可...

本发明公开了一种康复步行训练机器人的补偿人机互作用力的跟踪控制方法。针对康复步行训练机器人动力学模型中的广义控制输入力，将其分解为跟踪控制力和人机互作用力，得到具有人机互作用力的系统动力学模型；把人机互作用力作为系统的扩展状态，利用机器...

本实用新型属于压缩机检修领域，公开了一种可调节离心式压缩机轴承间隙测量专用工具，由横梁、支座和抬轴装置组成，其特征在于：横梁为矩形空心梁，2个支座分别安装于横梁的两侧下端，抬轴装置安装于横梁中部，抬轴装置包括瓦片和2个螺纹丝杆，螺纹丝杆...

本发明涉及源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向...

本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发...

本发明涉及一种H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法，本发明所述晶体管具有H形栅电极、导电类型调控栅和左右对称的结构特征，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向...

本发明涉及一种源漏阻变式H形栅控双向开关晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态...

本发明涉及双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有能够使晶体管源漏两侧同时发生隧穿效应的双侧折叠栅和能够实现源漏互换双向导通的左右对称的结构特征，双侧折叠栅对单晶硅薄膜两侧垂直部分形成三面包裹，因此具有较强...

本发明涉及一种双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具...

本发明涉及导电类型可调源漏阻变式双侧折叠栅晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs...

本发明涉及一种双导电类型分立双矩形栅控源漏阻变晶体管及其制造方法，所述晶体管具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。具有双矩形栅分立控制结构...

本发明涉及一种H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发...

本发明涉及一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态...

本发明涉及一种源漏阻变式矩形栅控U形沟道双向晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅电极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低...