为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳 定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使 用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起 使用期间的有...

本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成Ｐ型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供Ｐ型掺杂，此等掺杂步骤对于形成ＰＭＯ...

本发明揭示一种离子源，其包括气体反应腔室。本发明还包括一种方法，所述方法通过将气态馈送材料供应到所述气体反应腔室而将所述馈送材料转化成四聚物、二聚物、其它分子或原子种类，在所述气体反应腔室中所述馈送材料转化成待供应到所述离子源且加以离子...

本发明涉及通过植入Ｎ－及Ｐ－型簇离子及负离子制造ＣＭＯＳ器件的方法，揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺...

本发明揭示一种汽化器单元，其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度，其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中，且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的...

本发明提出一种用于制成一半导体器件的门电极以将门极耗尽效应最小化的方法。该方法由一双重沉积处理构成，其中第一步骤是一极薄的层，该层通过离子植入受到极重的掺杂。第二次沉积以及一相关联的用于掺杂的离子植入则制作完成该门电极。借助该两次沉积处...

本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用Ａｓ↓［４］Ｈ↓［ｘ］↑［...

本发明提出一种用于制成一半导体器件的栅极以将门极耗尽效应最小化的方法。该方法由一双重沉积处理构成，其中第一步骤是一极薄的层，该层通过离子植入受到极重的掺杂。第二次沉积以及一相关联的用于掺杂的离子植入则制作完成该栅极。借助该两次沉积处理，...

本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用Ａｓ↓［４］Ｈ↓［ｘ］↑［...

本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用Ａｓ↓［４］Ｈ↓［ｘ］↑［...

本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的ＰＭＯＳ晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。由此新颖方法产生两个工艺：（１）对ＵＳＪ形成的扩散控制；和（２）用于应力工程的高剂量碳植入。结合Ｐ...

本发明揭示一种汽化器单元，其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度，其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中，且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的...

通过具有使用反应性卤素气体（Ｆ１，Ｆ２）就地蚀刻清理一离子源（４００）及一提取电极（４０５）的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源（４００）的运行寿命。后者包括：进行精确的蒸气流量控制，进行离子束光学元件...

本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成Ｐ型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供Ｐ型掺杂，此等掺杂步骤对于形成ＰＭＯ...

本发明提供一种多用途离子植入器束线配置，其经构造以使得能够植入常用单原子掺杂剂离子物质和簇离子，所述束线配置具有质量分析器磁体，其界定在所述磁体的铁磁性极之间的具有相当大宽度的极间隙和质量选择孔隙，所述分析器磁体的大小设定为可容纳来自槽...

本发明揭示蒸气传送系统及方法，其控制来自用于半导体制造的固体馈入材料（尤其是包含簇分子的材料）的蒸气的加热及流动。所述系统及方法安全且有效地将所述蒸气传导到利用点，尤其是到用于离子植入的离子源。离子束植入展示为使用来自所述簇材料的离子。...

本发明揭示一种离子源，其用于提供由离子化团簇（例如，Ｂ↓［２］Ｈ↓［Ｘ］↑［＋］、Ｂ↓［５］Ｈ↓［ｘ］↑［＋］、Ｂ↓［１０］Ｈ↓［ｘ］↑［＋］、Ｂ↓［１８］Ｈ↓［ｘ］↑［＋］、Ｐ↓［４］↑［＋］或Ａｓ↓［４］↑［＋］）或单体离子（例如，...

一种用于向一真空室输送一稳定的升华蒸气流的蒸气输送系统，其包括一固体材料气化器、一机械节流阀及一压力表、随后是一通往所述真空室的蒸气导管。所述蒸气流速取决于所述气化器的温度及位于所述气化器与所述真空室之间的机械节流阀的流导的设定值二者。...

本发明揭示将蒸气提供到容置于高真空腔室中的蒸气接收装置。作为实例，离子束植入器具有位于高真空腔室内的可移除高压离子源，及将蒸气传送到所述离子源且并不干扰移除所述离子源以进行维护的蒸气传送系统。为了将蒸气传送到蒸气接收装置，例如处于真空状...