通过植入Ｎ－及Ｐ－型簇离子及负离子制造ＣＭＯＳ器件的方法技术

本发明专利技术涉及通过植入Ｎ－及Ｐ－型簇离子及负离子制造ＣＭＯＳ器件的方法，揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用Ａｓ４Ｈｘ＋簇与Ｂ１０Ｈｘ或Ｂ１０Ｈｘ＋簇作为Ａｓ及Ｂ掺杂的掺杂源。本发明专利技术揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种离子植入系统及一种半导体制造方法，其用于植入由N-型掺杂 剂簇离子的簇构成的离子束以及带负电荷的簇离子束。
技术介绍
半导体器件的制造会部分地涉及到在半导体衬底中引入杂质以形成掺杂区域。所 选杂质元素应与半导体材料适当结合形成电载流子并改变半导体材料的导电率。其中，电 载流子既可为电子(由N-型掺杂剂产生)亦可为空穴(由P-型掺杂剂产生)。所引入掺 杂剂杂质的浓度会决定由此得到的区域的导电性。为形成晶体管结构、绝缘结构及其他此 等电子结构(其统统用作半导体器件)，必须形成许多此等N-型及P-型杂质区域。用于将掺杂剂引入半导体衬底中的传统方法是通过离子植入。在离子植入中，是 将一含有所需元素的进料引入一离子源中并引入能量将该进料离子化，从而形成含有掺杂 剂元素(例如元素75As, "B，115In, 31P,或121Sb)的离子。然后，提供一加速电池来提取并使通 常带正电荷的离子加速，从而形成离子束。然后，如所属
中所习知，使用质量分析 来选取欲植入的物质，并将离子束射向一半导体衬底。加速的电场会使离子具有动能，从而 使离子能够渗透入目标中。离子的能量及质量决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：自一第一分子物质产生通过直接电子撞击形成的Ｎ－型簇离子；自一第二分子物质产生通过直接电子撞击形成的Ｐ－型簇离子；将所述Ｎ－型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及将所述Ｐ－型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯N霍尔斯基，达勒C雅各布森，韦德A克鲁尔，
申请(专利权)人：山米奎普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]