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本发明涉及通过植入Ｎ－及Ｐ－型簇离子及负离子制造ＣＭＯＳ器件的方法，揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统（１０），并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在ＣＭＯＳ器件中形成晶体管，植入Ｎ－型及Ｐ－型掺杂剂...
该专利属于山米奎普公司所有，仅供学习研究参考，未经过山米奎普公司授权不得商用。

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