本发明涉及一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜及其制备方法，所述透明导电氧化物薄膜为氧化铟钛ITIO薄膜，其中钛与铟的原子个数比为0.2-5.0％。制备方法包括：采用磁控溅射法在依次沉积了本征钝化层和重掺杂非晶硅薄膜且制成了...

本发明涉及一种太阳电池的清洗制绒方法，包括：对硅片的预清洗、碱性溶液下去损伤层、表面氧化层刻蚀、干燥工序、预清洗、制绒形成金字塔绒面结构、清洗去除有机物、表面抛光圆滑绒面、清洗去除金属杂质、表面氧化层刻蚀、干燥工序。本发明的清洗制绒方法...

本实用新型涉及一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，基片预处理部分中基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送；薄膜沉积部分中预热腔与传递腔之间设有高真空插板阀；烘干腔室与预热腔相连通，烘...

本实用新型涉及一种异质结太阳电池。该电池包括以N型单晶硅材料制成的衬底，所述衬底正面侧依次沉积本征层、P型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和正面金属电极；所述衬底背面侧依次沉积本征层、N型非晶硅薄膜层，透明导电氧化物薄膜层和背面金属电...

本发明涉及一种HIT太阳能电池电极的形成方法，包括：在形成ITO膜的HIT太阳能电池上，首先正面对细栅电极进行第一次印刷，烘干，然后只印刷主栅电极或者同时印刷主栅电极并对细栅电极进行第二次印刷，烘干，其中，第二次印刷的主栅用银浆比第一次...

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法，包括：在经过制绒、扩散、表面钝化处理、正面减反膜成膜后的两面制绒的单晶硅背面印刷铝被场及背银电极并烘干后，首先在硅片正面印刷细栅银电极，烘干；然后只印刷主栅电极或者同时印刷主栅电极并对细...

本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，包括：采用PECVD法或热丝CVD法制备异质结晶硅太阳电池钝化层薄膜，以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min；或者是以热...

本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，制得氢化氮氧化...

本发明涉及一种采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法，包括：首先通过对高质量硅片在碱性环境下预清洗，经碱性腐蚀去锯齿后，进行表面金字塔结构化学制绒，再二次清洗之后使用RSS技术做绒面结构光滑圆整，之后在酸性环境下清洗，最后去氧...

本发明涉及一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，基片预处理部分中基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送；薄膜沉积部分中预热腔与传递腔之间设有高真空插板阀；烘干腔室与预热腔相连通，烘干腔...

本发明涉及一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：(1)使用洗涤剂对玻璃衬底进行清洗，然后用去离子水冲净，再用氮气将玻璃吹干；(2)将上述玻璃衬底装入磁控溅射腔，然后对溅射腔体抽真空至3×10-3Pa～7×10-3Pa，将衬底加...