本发明涉及射频电路技术领域，具体为一种低关断电流的射频电路，包括：偏置电路和射频模块；偏置电路包括：pHEMT管N3、电阻R1、电阻R2、电阻R3；射频模块包括：Cascode管N2、放大管N1；其中：电阻R1的一端接pHEMT管N3的...

本技术公开了一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，涉及偏置电路技术领域。偏置电路包括晶体管M1，晶体管M1的源极与二极管D1的负极电连接，晶体管M1的漏极与电阻R1的一端电连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接，电阻R2与二极管...

本发明涉及开关电路技术领域，具体为一种开关切换时间控制电路，电路包括：k个源极与漏极串接的MOS管M，其中：第1个MOS管M1的漏极接第一信号端口RF+，第K个MOS管Mk的源极接第二信号端口RF+或接地；i个栅极偏置网络MSGi，栅极...

本实用新型涉及电路设计技术领域，具体为一种应用于WiFi

一种滤波器模组的双面封装结构，双面封装结构为去除电感被动元件的双面封装结构；滤波器芯片单独或以滤波器封装体的形式通过正面塑封层封装于基板正面、开关芯片通过背面塑封层封装于基板背面。解决了滤波器空腔覆膜与倒装开关芯片铜柱空隙充分填充的冲突...

本发明涉及滤波器技术领域，具体为一种基于5G通信N79频段的IPD滤波器，包括：信号输入端A、信号输出端B、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电感L1、电感L2、电感L3。本发明还提供一种制作方法制备...

一种滤波器模组的双面封装结构及制造方法，双面封装结构为去除电感被动元件的双面封装结构；滤波器芯片单独或以滤波器封装体的形式通过正面塑封层封装于基板正面、开关芯片通过背面塑封层封装于基板背面。解决了滤波器空腔覆膜与倒装开关芯片铜柱空隙充分...

一种滤波器模组的埋入结构，将滤波器模组内全器件封装改为部分封装加部分基板内埋，解决了滤波器空腔覆膜与倒装开关芯片铜柱空隙充分填充的冲突问题，解决了电感被动元件两极间空隙填充问题，解决了滤波器封装体极致缩小体积造成可靠性隐患问题，解决了全...

本申请公开了一种多模多频功率放大器、射频系统及通信设备，多模多频功率放大器包括：控制及低频放大模块，用于将低频段输入信号放大以提供低频段输出信号，以及基于所述多模多频功率放大器的输入信号类型输出控制信号；非低频放大模块，用于将中频段输入...

一种滤波器模组的埋入结构，将滤波器模组内全器件封装改为部分封装加部分基板内埋，解决了滤波器空腔覆膜与倒装开关芯片铜柱空隙充分填充的冲突问题，解决了电感被动元件两极间空隙填充问题，解决了滤波器封装体极致缩小体积造成可靠性隐患问题，解决了全...

本发明提供了一种滤波器芯片及其加工方法，涉及滤波器技术领域；所述滤波器芯片包括晶圆，晶圆上设有芯片有效区；芯片有效区外设有划片道；芯片的有效区内设有谐振器和焊盘；焊盘通过金属线路连接谐振器；焊盘的植球区域内植有锡球；锡球和谐振器以外芯片...

本发明涉及芯片制备技术领域，具体为一种滤波器芯片的简化制备方法，包括以下步骤：清洗压电材料；对压电材料进行一次金属化处理；将压电材料经二氧化硅沉积、光刻、刻蚀、去胶处理；将压电材料进行二次金属化处理；依次重复上述步骤得到滤波器芯片的压电...

本发明提供一种频率稳定的硅基环形振荡器电路，包括反相器，所述反相器的数量至少为一个且数量为奇数，所述反相器串联在一条电路中，所述反相器之间串联设置有电阻，反相器与电阻之间并联电容，电阻和电容随工艺变化相对晶体管小，且在工艺和温度变化下向...

本发明公开了一种电流镜电路及其射频模块，电流镜电路包括：第一组晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的控制端与第二晶体管的控制端连接，第一晶体管的第一端与第二晶体管的第一端连接，第二晶体管的第二端与电流镜电路的输出端连接，第一晶...

一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，通过在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件，能够有利于形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。

一种声表面滤波器芯片多元化刻蚀方法，通过将位于晶圆层上同一个电路层中的薄铝层刻蚀件归于薄铝层，厚铝层刻蚀件归于厚铝层，针对所述厚铝层采用湿法刻蚀，针对所述薄铝层采用干法刻蚀，该湿法刻蚀和干法刻蚀混合使用，既有利于满足声表面滤波器功能的实...

本申请公开了一种射频开关及其射频通信系统，包括：N个串行连接的开关管，开关管Qi的第一通路端连接开关管Qi

本发明公开了一种CMOS功率放大器，包括输入巴伦，接收射频输入信号并生成第一路输入信号和第二路输入信号；功率放大电路，分别对第一路输入信号进行功率放大生成第一路输出信号，以及对第二路输入信号进行功率放大生成第二路输出信号；以及功率合成器...