一种开关切换时间控制电路制造技术

本发明专利技术涉及开关电路技术领域，具体为一种开关切换时间控制电路，电路包括：k个源极与漏极串接的MOS管M，其中：第1个MOS管M1的漏极接第一信号端口RF+，第K个MOS管Mk的源极接第二信号端口RF+或接地；i个栅极偏置网络MSGi，栅极偏置网络MSGc，栅极偏置网络MSGc的一端接栅压驱动模块DRVG，另一端通过栅极偏置网络MSG1，MSG2，…，MSGi分别对应连接MOS管M1，M2，…，Mk的栅极。本发明专利技术在一定的时间内选择不同大小的栅极电阻，实现控制开关不同切换时间的功能。切换完成后，选择较大的栅极电阻，可以获得更好的稳定状态开关性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关电路，具体为一种开关切换时间控制电路。

技术介绍

1、绝缘栅型场效应管（igfet，insulated gate field effect transister）也称金属氧化物半导体场效应管（metal oxide semiconductor fet，简写为mosfet）。

2、大功率射频开关由k个mos管串联组成。在高速或者射频应用开关中，栅极偏置电路使用较大的串联电阻rg有着如下好处：提升开关线性度，改进开关的插入损耗，在低频下也能保持较好的插损和隔离度特性，能够处理较大的输入信号并降低对提供偏置电压的驱动电路的影响。

3、开关有两种稳定工作状态，导通和关闭，由栅极驱动drvg输出电压来控制。当drvg输出电压变化时，通过rg向栅极寄生电容cgg充放电，使开关的栅极电压跟随drvg输出电压变化。切换时间，由开关的栅极电阻rg和栅极寄生电容cgg的乘积rg*cgg决定，rg越大，切换时间越长，切换速度越慢。但是，现有技术只能通过旁路栅极电阻的方式，来加快切换过程，不能实现不同的切换时间。鉴于此，我们提出一种开关切本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种开关切换时间控制电路，其特征在于，所述电路包括：

2.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：所述开关器Sj包括n个串接的NMOS管和PMOS管；n个NMOS管分别为NMOS管M11，M12，…，M1n；n个PMOS管分别为PMOS管M21，M22，…，M2n，其中：

3.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：电阻器R1，R2，…，Rm与开关器S1，S2，…，Sm串接的另一端连接有电阻器RC。

4.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：所述电路不设有所述栅极偏置网络MSGc，所述i个栅极偏置网络MS...

【技术特征摘要】

1.一种开关切换时间控制电路，其特征在于，所述电路包括：

2.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：所述开关器sj包括n个串接的nmos管和pmos管；n个nmos管分别为nmos管m11，m12，…，m1n；n个pmos管分别为pmos管m21，m22，…，m2n，其中：

3.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：电阻器r1，r2，…，rm与开关器s1，s2，…，sm串接的另一端连接有电阻器rc。

4.根据权利要求1所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：所述电路不设有所述栅极偏置网络msgc，所述i个栅极偏置网络msgi一端接所述栅压驱动模块drvg。

5.根据权利要求2所述的开关切换时间控制电路，其特征在于：nmos管m11，m12，…，m1n的源极和漏极之间对应串接电阻器rds1，rds2，…，rdsn。

6.根据权利要求2所述的开...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈必江，汪洋，
申请(专利权)人：上海萍生微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：