本发明涉及一种使用CMOS技术制造电子电路的方法，该方法包括：(a)金属沉积(200)和蚀刻以在衬底中的第一层级形成金属连接(P、P'、…)的步骤，(b)沉积覆盖金属连接的介电材料层(110、…)的步骤，(c)在介电材料的厚度中产生贯通...

本申请题为“改进的CMOS图像传感器”。一种CMOS图像传感器包括像素矩阵和像素控制电路(VS)，每个像素具有包括光电检测器(PD)和存储单元(MEM)的像素结构，该像素控制电路能够顺序写入代表曝光之后的光电检测值到所述像素的存储单元(...

一种通信终端，包括主机(C)、存储器、显示设备(ET)、输入设备(ET)、在可见光范围工作的照相机(CA)、无线通信电路、声传感器和声换能器。还包括在不可见光范围工作的图像传感器(IM)，不同于照相机并且能够生成一系列在硅光谱敏感范围之...