一种闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路。闪存结构，包括形成于衬底上的第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元包括：第一漏极和第一栅极；第二存储单元包括：第二漏极和第二栅极，第一存储单元和第二存储单元共用源极；源极形成于衬底...

EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统被公开。该单元包括互补的第一子单元和第二子单元，第一子单元和第二子单元均包括衬底，第一漏极、源极和第二漏极相互间隔且形成于衬底上；第一漏极和源极之间具有第一沟道，第一沟道的上方设置有第一...