本发明为一种硅晶体生长系统及其控制方法，属于半导体生产领域。其技术方案为，一种硅晶体生长系统，包括坩埚，坩埚外周设有加热模组和磁场模组：加热模组含多个环形的加热单元，加热单元沿坩埚高度方向同轴排布且与中控模块电连接，可精准调控温度梯度；...

本申请提供了一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，属于半导体加工技术领域，技术方案为，一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，包括如下步骤，分别对石墨盘和SiC籽晶的粘接面进行预处理；将涂胶后的SiC籽晶与石墨盘对位，...

本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法，包括外壳，外壳的内部固定安装有保温筒，保温筒的内部设置有坩埚和坩埚盖，坩埚盖设置在坩埚的顶部；控制组件用于精准调节坩埚和坩埚盖内部温度，控制组件与外壳和保...

本发明提供了一种同轴度调整装置及轴件同轴度调整方法，涉及同轴度调整领域，采用的方案是：包括调整套，调整套为拆卸式对开式结构，调整套垂直地设置在安装板上，调整套上沿周向设置有至少两条收缩槽，收缩槽的长度方向沿调整套轴向设置，调整套内部还同...

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体公开了一种用于半导体材料制备的石墨坩埚对正中心调整装置，包括调心座，其顶部设有半球面凹陷结构，其内壁滑动连接有调整垫环；调整杆，其一端设有与半球面凹陷结构配合的球头，球头中心沿轴向开设有通孔，调整杆...

本发明提供了一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构，属于氮化物半导体HVPE设备与外延技术领域，技术方案为，一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构，包括从内到外依次嵌套且同轴设置的内环、中环和外环；内环底部设置有齿尖朝下的第一锯...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种前开式晶圆盒开启前的洁净装置，包括装载设备，装载设备的顶部设置有前开式晶圆盒，前开式晶圆盒的内部插接有盒盖，装载设备外壁固定滑动安装有安装件，安装件设置在盒盖的一侧，安装件的内部固定安装有电动推杆...

本发明属于半导体晶片加工技术领域，具体公开了一种液相法碳化硅晶体生长控制装置，包括燃烧炉本体，所述燃烧炉本体内壁下部连接有底板，所述底板下端中部连接有支撑机构，所述燃烧炉本体上端中部连接有支撑环，所述支撑环上端连接有晶体重量检测传感器，...

本发明公开了一种平行开闭的重载真空密封单元，具体涉及真空熔炼领域，包括炉体，炉体的一端固定连接有第一连接件，第一连接件的一端设有第一转轴，第一转轴的外侧套接有连接块，连接块的一端设有第二转轴，第二转轴的外侧套接有第二连接件，第一连接件与...

本发明属于卧式HVPE炉管用镓反应器领域，具体的说是一种卧式HVPE炉管用镓反应器，包括装置主体；所述装置主体下方设置有装置底板，所述装置主体与装置底板之间设置有稳定生产抬升机构；所述稳定生产抬升机构包括进气法兰，所述进气法兰设置在装置...

本发明属于碳化硅粉料制备技术领域，具体公开了一种组合式碳化硅粉料合成专用炉坩埚，包括底盘，所述底盘下端中部连接有安装杆，所述安装杆上端贯穿延伸至底盘上端，所述安装杆上端连接有支撑柱，所述支撑柱两侧均匀开设有第一卡槽，两个所述第一卡槽内部...

本申请涉及一种SMIF POD盒定位固定装置，包括：定位块，与底座固定连接，且与POD盒侧壁能够抵触；定位销，与底座固定连接，并与POD盒盒底插接配合；压紧块，设置有多个，并与底座转动连接，且所述压紧块均能够与POD盒的边沿背离底座的一...

本申请涉及一种镓反应机构、HVPE炉管及卧式HVPE装置，镓反应机构包括：舟盒，承装有液体镓，放置于炉管内，且舟盒背离地面的侧壁上开设有注镓口，所述舟盒上设置有用于启闭注镓口的注镓口盖，所述舟盒截面设置为矩形；进气管，与舟盒连通；喷气管...

一种镓舟、源加注系统及源加注方法，属于半导体生产领域。技术方案为：一种镓舟，包括舟体，舟体的上部固定设有加注口，加注口上可拆卸安装有密封盖；加注口内设有锥形孔道，密封盖包括盖体，盖体用于对加注口包覆遮盖，盖体上固定设有锥形的塞部，塞部插...

本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体涉及制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法，反应室内设有石英环，石英环的顶部设水冷式铜基板台，水冷式铜基板台的顶部设钼环，钼环中央设水冷式铜基样品台，水冷式铜基样品台的底部连接...

一种沉积腔室结构及MPCVD设备，属于金刚石合成设备领域。技术方案为：一种沉积腔室结构，包括底座，底座上固定设有管状的石英窗口，石英窗口上方密封连接有上盖，石英窗口的外侧套设有金属环，金属环的中间区域设有若干横向设置和竖向设置的微波馈入...

本发明公开了一种顶部籽晶提拉单晶生长装置，包括：炉体；提拉机构，位于所述炉体内并设有提拉杆，该提拉杆只具有升降自由度；籽晶托，位于提拉杆下端，以用于安装籽晶；坩埚，位于炉体内且位于籽晶托的正下方，该坩埚的主体为上大下小的圆台桶形；升降转...

本发明公开了一种MPCVD设备，包括：机架；沉积腔室，具有上室口和下室口，在下室口装有具有升降孔的腔室密封下盖；谐振腔，通过石英窗口与沉积腔室进行功能连通；微波生成与传输装置，使微波透过所述石英窗口电离反应气；抽真空装置；气体控制装置，...

本发明公开了一种卧式多片多材料HVPE晶体生长炉，包括炉体；支轴总成；工艺罩；进气管组；尾气管组；以及转运机械手。依据本发明的晶体生长炉工艺效率相对比较高。

本发明公开了一种三体半导体工艺炉，包括：固定炉体，为卧式设置的圆心角不小于100°且不大于200°的部分炉体，且该固定炉体关于过炉体轴线的左右中剖面对称；支轴，位于固定炉体的正上方；左炉体，上缘枢装于所述支轴，下缘则用于与固定炉体的左上...