本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地，本公开提供了一种用于考虑跨多个面板的同时传输的上行链路传输的方法和设备。

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开的一种用于在无线通信系统中处理控制信号的方法可以包括：接收从基站发送的第一控制信号；处理所接收的第一控制信号；基于处理生成第二信号；以及将所生成的第二控制信号发送到基站。

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开，即使在网络节能（NES）模式下操作的情况下，当紧急事件发生时，基站也可以有效地向终端发送紧急信号。

本公开涉及用于支持比诸如LTE的后4G通信系统更高的数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的实施例，公开了一种在无线通信系统中由第一网络实体执行的方法。该方法包括步骤：从终端接收对于由终端执行的应用的操作的计算服务支持请求以及终端...

本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地，根据本公开的各种实施例的由无线通信系统中的目标基站执行的方法包括以下步骤：从源基站接收切换请求消息；基于切换请求消息，将由与目标基站相关联的数据...

根据本公开的实施例的电子设备可以包括：第一壳体，其包括沿其侧表面的至少一部分分段的至少一个或多个第一导电部分，以及形成在侧表面的至少一部分上的多个通气孔；风扇，其设置在第一壳体中；第一印刷电路板，其设置在第一壳体中的一侧上，第一印刷电路...

本发明的各种实施例涉及包括无线充电装置的电子装置。无线充电装置可以包括：电力发送线圈，用于向电子装置无线地发送电力；以及第一线圈，设置在电力发送线圈内部，并且通过其在第一方向上形成磁场，以及电子装置可以包括：电力接收线圈，用于从电力发送...

公开了电子设备和方法，用于：使用第一相机获得每个第一周期捕获的第一图像；使用第二相机获得每个第二周期捕获的第二图像；在第一图像的亮度值小于或等于第一阈值并且大于或等于第二阈值的基础上，选择第一图像；在亮度值大于第一阈值或小于第二阈值的基...

一种半导体器件，包括：沟道层，包括有源区和非有源区；势垒层，在沟道层上，势垒层包括能带隙与沟道层的能带隙不同的材料；栅电极，在势垒层上；源电极和漏电极，在栅电极的两侧上，并且连接到沟道层；以及有源掺杂区，在沟道层的有源区中，并且与沟道层...

提供了一种无线通信系统中的用户设备（UE）。该UE包括收发器、存储一个或多个计算机程序的存储器、以及通信地耦合到收发器和存储器的一个或多个处理器，其中一个或多个计算机程序包括计算机可执行指令，该计算机可执行指令在由一个或多个处理器执行时...

一种设备包括：通信接口，被配置为接收包括基础网格子比特流的压缩比特流；以及处理器，可操作地结合到通信接口。处理器被配置为从基础网格子比特流中解码多个子网格。处理器还被配置为根据细分迭代计数对多个子网格中的子网格进行细分以生成至少一个细分...

本公开涉及用于支持高数据传输速率的第五代（5G）或第六代（6G）通信系统。提供了一种由无线通信系统中的用户设备（UE）执行的方法。该方法包括识别接入尝试的原因，以及基于接入尝试的原因，确定是否从非接入层（NAS）层向下层提供与接入尝试相...

提供了半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括：栅电极，堆叠在第一区域中以形成第一堆叠结构和第二堆叠结构；沟道结构，穿透第一堆叠结构和第二堆叠结构；第一模制结构，在第二区域中；对准键结构，穿透第一模制结构；以及第二模...

本公开涉及一种用于支持更高数据发射速率的5G或6G通信系统。提供了无线通信系统中利用低功率信号的测量控制操作的方法和装置。一种UE的方法包括：接收第一信号和第二信号；对服务小区的第一信号执行测量操作：基于第一信号的测量结果满足第一阈值的...

公开有机金属化合物、包括其的发光器件和包括发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，并且L1和L2彼此不同，其中Y2和Y4各...

公开了一种半导体存储器件，包括下部结构和在下部结构上的上部结构。上部结构包括第一衬底、在第一衬底上的上布线、在第一衬底的下部中的下电源线、以及在下电源线和下部结构之间的第一接合焊盘。下电源线和第一接合焊盘彼此电连接。上部结构通过第一接合...

一种半导体装置包括：位线；有源图案，在位线上，并且包括下有源部分、第一竖直有源部分和第二竖直有源部分，下有源部分电连接到位线，第一竖直有源部分从下有源部分向上延伸，第二竖直有源部分从下有源部分向上延伸；字线，在第一竖直有源部分的下区域与...

公开了具有电容器结构的半导体装置。示例半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括基底、在基底内的有源区域、在基底上的电路元件、限定有源区域的元件隔离区域、在电路元件两侧上设置在有源区域内的杂质区域、与电路元件电连接...

提供了一种半导体装置制造方法，所述半导体装置制造包括：通过在基底上交替地形成多个牺牲层和多个模制绝缘层来形成模制堆叠件；形成多个接触插塞孔，每个接触插塞孔在竖直方向上在模制堆叠件中延伸并与模制堆叠件的底表面间隔开第一距离；在模制堆叠件和...

一种集成电路存储器件包括位线、位于位线上的蚀刻停止膜、以及模制绝缘结构膜，模制绝缘结构膜在蚀刻停止膜上延伸并且包括在第二方向上延伸的沟道沟槽；模制绝缘结构膜包括位于蚀刻停止膜上的第一模制绝缘膜和位于第一模制绝缘膜上的第二模制绝缘膜。设置...