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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64086项专利
存储器设备、存储器控制器和包括其的存储器系统技术方案
本申请涉及存储器设备、存储器控制器和包括其的存储器系统。一种存储器设备包括:存储器单元阵列,包括多个平面;多个FIFO存储器,分别对应于多个平面且被配置为存储存储在多个平面中的数据中的至少一些条数据;和第二FIFO存储器,被配置为根据其...
半导体存储器装置制造方法及图纸
提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、在第一电极和第二电极之间的电介质膜结构、在第一电极和电介质膜结构之间的第一界面膜、以及在第二电极和电介质膜结构之间的第二界面膜。电介质膜结构可以包括依次...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构,第一栅极结构包括顺序地堆叠在包含第一区域和第二区域的基底的第一区域上的第一栅极界面图案、第一栅极介电图案和第一栅电极结构,其中,第一栅极介电图案包含第一金属的氧化物或...
竖直非易失性存储器件制造技术
竖直非易失性存储器件可以包括:栅极堆叠,包括交替堆叠的栅电极和层间绝缘层;栅极间隔物;以及栅极接触插塞,在栅极堆叠中彼此间隔开。栅极接触插塞可以包括竖直地接触栅电极中的第一栅电极的第一栅极接触插塞和竖直地接触栅电极中的第二栅电极的第二栅...
半导体器件制造技术
本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:材料图案,其在垂直方向上延伸并且掺杂有第一杂质;数据存储结构,其面向材料图案并且与材料图案间隔开;有源图案,其设置在材料图案与数据存储结构之间,其中,有源图案在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开,...
图像传感器制造技术
一种图像传感器包括在彼此相交并且平行于衬底的第一表面的第一方向和第二方向上延伸的像素阵列。像素阵列的多个像素区域通过像素隔离膜分离,每个像素区域包括光电二极管。逻辑电路被配置为从像素阵列获取像素信号。像素阵列包括:有效区域,有效像素区域...
无线通信装置及其操作方法制造方法及图纸
公开了无线通信装置及其操作方法,所述无线通信装置的操作方法包括:检测针对第n时隙中的第一信号的接收功率的第一均方根(RMS)值,其中,n为正整数,并且第一信号为同步信号块(SSB)、信道状态信息参考信号(CSI‑RS)或跟踪参考信号(T...
半导体器件和制造该半导体器件的方法技术
一种半导体器件包括:基板;位线,在基板上沿平行于基板的上表面的第一方向延伸;在位线上的第一半导体图案和第二半导体图案,第一半导体图案和第二半导体图案中的每个沿垂直于基板的上表面的第二方向延伸,并且第一半导体图案和第二半导体图案沿第一方向...
可多次折叠电子装置和可多次折叠电子装置的提供通知的方法制造方法及图纸
根据本公开的各种实施例的可多次折叠电子装置包括:第一壳体;第二壳体,可折叠地联接到第一壳体的第一侧;第三壳体,可折叠地联接到第二壳体的第二侧;第一铰链构件,联接在第一壳体和第二壳体之间;第二铰链构件,联接在第二壳体和第三壳体之间;柔性显...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置可以包括:半导体图案,在第一方向上延伸;多层绝缘结构,在半导体图案上;以及接触件,穿透多层绝缘结构。多层绝缘结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层上的第二绝缘层。接触件可以包括阻挡图案和在阻挡图案上的导电图案。阻挡图案可以接...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置可包括基底绝缘层、在基底绝缘层的下绝缘图案上延伸的半导体图案、堆叠在半导体图案上的多个沟道层、围绕所述多个沟道层的栅极结构、在栅极结构的相对侧和半导体图案上的源极/漏极区域、包括连接到源极/漏极区域的接触区域的背侧接触结构...
电子装置及使用该电子装置的MIPI频率选择方法制造方法及图纸
根据一个实施例,一种电子装置可以包括:通信电路,用于通过使用多个通信频带执行无线通信;至少一个存储器,包括与多个移动产业处理器接口(MIPI)频率相关的信息;至少一个处理器,可操作地连接到通信电路和存储器;以及内部电路,通过MIPI接口...
用于多TRP相干联合传输的CSI处理制造技术
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于多发送和接收点(多TRP)相干联合传输的信道状态信息(CSI)处理的装置和方法。一种由用户设备(UE)执行的方法包括:接收关于CSI报告的配置;基于配置处理并确定CSI报告;以...
无线电力接收设备以及操作其和无线电力收发系统的方法技术方案
一种操作配置为从无线电力发送设备接收数据信号或无线电力的无线电力接收设备的方法可以包括由无线电力接收设备从无线电力发送设备接收输入信号、以及由无线电力接收设备基于输入信号的相对于频率变化的极性来确定输入信号是数据信号还是发送电力信号。
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:衬底;有源图案,其在衬底上在第一方向上延伸;多个下纳米片,其堆叠在有源图案上并且在竖直方向上彼此间隔开;纳米片隔离层,其包括绝缘材料并且位于多个下纳米片中的最上的纳米片的上表面上;多个上纳米片,其堆叠在纳米片隔离层的...
半导体封装件及制造半导体封装件的方法技术
提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。一种半导体封装件,包括:第一芯片结构,在第一基底上;以及第一模制层,在第一基底上围绕第一芯片结构,其中,第一芯片结构包括:第一芯片,在第一基底上包括光子集成电路;第二芯片,在第一芯片上包括...
具有分离的传输晶体管的存储器件制造技术
一种存储器件包括:存储块,包括联接在第一P型基板和多条位线之间的多个单元串;第一传输晶体管电路,包括配置为驱动所述多条栅极线当中的第一栅极线的多个第一传输晶体管;以及第二传输晶体管电路,包括配置为驱动所述多条栅极线当中的第二栅极线的第二...
图像传感器制造技术
提供了一种第一图像传感器,包括:第一接口,被配置为从处理器接收第一参数信息;编码器,被配置为对第一参数信息进行编码;以及第二接口,被配置为将编码的第一参数信息发送到第二图像传感器。所述第一图像传感器提供第一视场(FOV),并且所述第二图...
用于在存储装置中提供动态数据保存的设备和方法制造方法及图纸
提供用于在存储装置中提供动态数据保存的设备和方法。所述设备在存储装置中提供动态数据保存,在所述设备中,所述设备包括:控制模块,被配置为:监测存储装置的填充率;将填充率与存储装置的预定义的保存填充率进行比较,以确定填充率是否超过预定义的保...
存储器装置和操作存储器装置的方法制造方法及图纸
提供一种存储器装置和操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括:存储器单元阵列、写入驱动器和感测电路。存储器单元阵列可包括连接到位线的正常单元和连接到所述位线的一次性可编程(OTP)单元。正常单元的编程状态可通过第一参考电阻来确定,并且...
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