根据各种实施例的可折叠电子装置可以包括：柔性显示器；第一窗口，其包括面向柔性显示器的第一表面和面向与第一表面相反的方向的第二表面，第一表面通过第一粘合剂附接到柔性显示器的至少部分区域；以及第二窗口，其通过粘合强度小于第一粘合剂的第二粘合...

公开了一种用于高带宽存储器的管理技术。处理管理电路（PMC）具有主执行电路和主存储器，并且被配置为管理由第一处理元件（PE）或第二PE中的至少一个执行的至少一个处理器操作。共享存储器被配置为由PMC、第一PE和第二PE共享。存储器管理电...

包括开关的电压转换器包括第一电容器至第四电容器，每个电容器连接到被配置为输出充电电流的输出节点，以及被配置为控制开关的开关控制器。开关控制器被配置为基于第一输入电压响应于第一电压控制信号来控制开关，以交替地执行第一操作和第二操作，第一输...

公开了用于扩展存储器的系统和方法。一种用于扩展存储器的装置可以包括：第一处理设备；第二处理设备；第一存储器设备；以及第二存储器设备。第一逻辑存储器空间和第二逻辑存储器空间被配置为分别分配给第一处理设备和第二处理设备。所述第一逻辑存储器空...

提供了用于存储器中处理的独立架构的系统、方法和装置。在一个或多个示例中，所述系统、设备和方法包括：通过存储器系统级封装的主机的应用代码，将内核网格的内核子网格分配给堆叠存储器模块；通过堆叠存储器模块的基础管芯的微控制器，将内核子网格的第...

公开了用于定位的方法和用户设备。所述方法可包括：由用户设备（UE）接收由位置服务器配置的阈值，由UE确定与阈值相关联的标准，由UE根据所述标准激活用于定位的定位模型，由UE监测定位模型的性能，以及由UE向位置服务器报告定位模型的性能。所...

用于管理配置为存储多个码字的存储设备的设备、系统和方法，包括：从存储设备获得二维（2D）广义级联码（GCC）码字；将码字提供给顺序解码器；基于检测到顺序解码器的第一次失败，更新码字并转置更新的码字以获得转置的码字；将转置的码字提供给顺序...

提供了一种电容器结构，该电容器结构使用在形成电容器介电膜之前形成板电极的制造方法形成。电容器结构包括：板电极，限定电极模制沟槽；电极模制绝缘图案，与板电极接触，并且包括设置在电极模制沟槽的侧壁上的侧壁部和设置在电极模制沟槽的底表面上的底...

公开了用于使用处理设备进行计算和通信的系统和方法。所述系统包括第一处理设备和包括处理器和存储器的计算设备。所述存储器存储指令，所述指令在由所述处理器执行时使所述处理器：识别源程序；识别所述源程序中识别的第一计算；识别与所述第一计算相关联...

提供用于存储器内处理（PIM）操作的并发执行的系统及方法的系统、方法及设备。在一个或多个示例中，所述系统、设备和方法包括：接收针对存储器管芯上的处理的存储器请求；基于所述存储器请求被配置针对所述存储器管芯上的处理来修改所述存储器请求；以...

提供了对存储器中处理（PIM）系统中的过程进行编程的系统、方法和设备。在一个或多个示例中，系统、设备和方法包括：经由处理器启用PIM管理器用于PIM指令的处理，PIM管理器位于堆叠式存储器模块的基础裸片上；经由PIM管理器启用堆叠式存储...

一种半导体存储器件可以包括：衬底，沿第一水平方向包括堆叠区和焊盘区；字线，在堆叠区中沿第一水平方向延伸；位线，在堆叠区中沿竖直方向延伸并且在第一水平方向和第二水平方向上彼此间隔开；存储单元，在堆叠区中并且在字线和位线之间；以及焊盘结构，...

一种半导体装置包括基底和基底上的互连层。互连层包括其中具有第一互连线的互连结构，第一互连线包括金属合金，金属合金包含钌的单相和非钌的第一元素，非钌的第一元素在金属合金中的浓度在大于0at%至40at%的范围内。在第一元素是钼的情况下，金...

一种光学互连系统包括：微型发光二极管(LED)阵列，其包括至少一个微型LED；光电二极管阵列，其位于微型LED阵列的一侧上并且包括至少一个光电二极管；光学传输介质，其与微型LED阵列和光电二极管阵列耦接；以及电路板，其在竖直方向上与光学...

一种半导体器件包括衬底、栅极堆叠结构和沟道结构。栅极堆叠结构包括交替地堆叠在衬底上的多个层间绝缘层和多个栅电极。沟道结构至少部分地贯穿栅极堆叠结构并且在一个方向上延伸。沟道结构包括：沟道层，与衬底耦接；铁电层，至少部分地围绕沟道层并且包...

一种集成电路器件包括：在纳米片堆叠结构之间的锤形片状分隔墙，从而改善栅电极的图案化裕度，并且防止或减少有效沟道宽度减小。也就是说，该集成电路器件可以在纳米片场效应晶体管中提供增加的稳定性能和改善的可靠性。

一种半导体器件包括：第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，位于第一沟道结构上；第三源极/漏极区域和第四源极/漏极区域，位于第二沟道结构上；第一背面接触插塞，从所述第二源极/漏极区域的下表面凹进所述第二源极/漏极区域达第一深度；以及第二...

本公开提供了半导体存储器件和堆叠存储器件。所述半导体存储器件包括物理区域、直接访问区域和电力管理器。所述直接访问区域直接与外部测试装置进行接口通信。所述电力管理器基于第一电源电压、第二电源电压和电源电压中的一者来产生内部电源电压，并且将...

一种图像传感器可以包括基板和多个像素区。多个像素区中的至少一个包括在基板中的光电转换部分和与基板的第一表面相邻的像素电路。像素电路可以包括多个掩埋图案，每个掩埋图案可以在基板中具有掩埋结构。像素电路可以包括包含第一栅电极的第一晶体管和包...

本公开涉及由第一电子装置执行的在无线通信系统中执行通信的方法和装置。用于执行通信的方法可以包括：从第二电子装置接收包含关于第一隐私级别的信息的隐私通话请求消息的步骤；识别是否支持与第一隐私级别相对应的隐私设置的步骤；以及当支持所述隐私设...