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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64086项专利
半导体器件制造技术
一种半导体器件可以包括:半导体衬底,包括水平部分和从所述水平部分向上突出的垂直部分;位线,位于所述半导体衬底上并且在与所述半导体衬底的底表面平行的第一方向上延伸;字线,位于所述位线上并且在与所述半导体衬底的所述底表面平行的第二方向上延伸...
图像传感器制造技术
一种图像传感器,包括衬底、衬底中的多个光电二极管、元件隔离图案和光电二极管隔离图案。光电二极管隔离图案包括:导电隔离图案,延伸到衬底的至少一部分中;绝缘隔离图案,在导电隔离图案周围延伸。绝缘隔离图案的与衬底的第一表面相邻的第一表面在第一...
通过高级业务分类对网络连接进行优先化制造技术
实施例包括连接到网络的设备。该设备包括:收发机,被配置为从网络接收网络业务;至少一个处理器,耦接到收发机,该至少一个处理器包括处理电路;以及存储器,存储一个或多个指令,一个或多个指令当由至少一个处理器单独或共同执行时,使该设备:基于源信...
用于膜的电子增强化学气相沉积的方法技术
一种用于沉积膜的方法包括:用至少一种氢化物前驱体、至少一种反应性背景气体和电子进行电子增强化学气相沉积以在具有正基底电压的基底上沉积膜。在实施例中,所述方法是一种用于沉积硅膜的方法,包括用至少一种Si前驱体、至少一种反应性背景气体和电子...
用于校正由柱面透镜引起的失真的方法和显示设备技术
提供了一种由包括柱面透镜的显示设备执行的方法。所述方法包括:获得目标图像;识别柱面透镜的预定义的倾斜角度;识别目标图像中包括具有与柱面透镜的倾斜角度的相似度在预设范围内的倾斜角度的至少一个边缘的至少一个区域;选择与包括在所识别的至少一个...
用于生成关于虚拟3D对象的姿势信息的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及一种用于生成关于虚拟3D对象的姿势信息的方法和电子设备。电子设备基于由电子设备捕获的至少一个RGB图像帧来获得特征图。电子设备通过与电子设备相关联的至少一个深度传感器获得至少一个RGB图像帧中的对象的深度信息。电子设备基于特征...
图像传感器制造技术
提供了一种图像传感器,包括像素阵列和图像处理器。像素阵列包括第一像素组、第二像素组和第三像素组,第一像素组中的每一个包括第一单位像素和第一滤色器,第二像素组中的每一个包括第二单位像素和第二滤色器,并且第三像素组中的每一个包括第三单位像素...
通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法制造方法及图纸
提供了一种制造半导体装置的方法,该方法包括:在半导体结构上形成第一模制结构和第二模制结构,第二模制结构在水平方向上与第一模制结构间隔开,第一模制结构包括一个接一个地交替堆叠的第一绝缘膜和与第一绝缘膜不同的第二绝缘膜,并且第二模制结构包括...
电子装置和电子装置的控制方法制造方法及图纸
电子装置包括至少一个处理器,该处理器使得电子装置进行以下操作:基于至少第一吞吐量信息和第二吞吐量信息,获取用于第一模型的推理操作的第一吞吐量信息和用于第二模型的训练操作的第二吞吐量信息,基于第一吞吐量信息和第二吞吐量信息识别用于执行第一...
电平转换器制造技术
提供一种电平转换器,电平转换器包括:反相电路,配置为将输入电压反相并且输出反相输入电压;电平转换电路,配置为基于输入电压和反相输入电压输出第一中间电压和第二中间电压;以及缓冲电路,配置为将第一中间电压和第二中间电压反相,并且输出输出电压...
再分布结构及包括该再分布结构的半导体封装制造技术
提供了一种具有减少的寄生电容的再分布结构。该再分布结构可以包括通孔层和在与通孔层垂直的第一方向上设置在通孔层上的布线层,布线层包括金属板和被配置为在第一方向上穿透金属板的第一绝缘图案。第一绝缘图案的外侧表面可以从金属板的侧表面暴露。
用于提供远程拍摄的反馈信息的方法及其电子装置制造方法及图纸
一种由可折叠电子装置提供远程拍摄的反馈信息的方法,根据各种实施例,该方法可以包括:运行用于通过可折叠电子装置的至少一个相机来拍摄对象的相机应用的步骤;在可折叠电子装置的折叠角度在预定角度范围内的同时,识别可折叠电子装置的抖动状态是否是稳...
扫地机器人、基站及清洁装置制造方法及图纸
一种清洁装置,包括:扫地机器人,包括具有能够供湿抹布可分离地安装的下部的主体;以及基站,能够放置所述扫地机器人,其中,所述基站包括:供水桶,配备为储存水;清洗腔室,构成为在所述扫地机器人放置于所述基站且所述湿抹布安装于所述主体的下部的期...
半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的制造方法以及包括半导体纳米颗粒的墨组合物、电致发光器件和显示装置制造方法及图纸
提供了一种半导体纳米颗粒、一种用于制备半导体纳米颗粒的方法、一种包括半导体纳米颗粒的墨组合物、一种电致发光器件以及一种包括半导体纳米颗粒的显示装置。所述半导体纳米颗粒被配置为发射光,并且包括半导体纳米晶体以及包含锌和硫的半导体纳米晶体层...
半导体器件制造技术
半导体器件可以包括:在基板上的晶体管;在晶体管上的第一布线结构;在第一布线结构上的第一接合焊盘结构;第二布线结构,在第一布线结构上的并且在水平方向上与第一接合焊盘结构至少部分地重叠;第二接合焊盘结构,在第二布线结构上且与第二布线结构间隔...
机器人及其控制方法技术
可驱动的机器人包括:至少一个传感器;驱动单元;至少一个处理器;以及存储器,用于存储至少一个指令,至少一个指令在由至少一个处理器运行时进行以下操作:如果在由至少一个传感器获取的捕获图像中识别到旋转门,基于捕获图像识别旋转门中的自由空间的自...
堆叠的半导体装置制造方法及图纸
一种堆叠的半导体装置包括:基础半导体管芯和多个核心半导体管芯,在垂直方向上堆叠;多个温度感测电路,分别包括在所述多个核心半导体管芯中;转换电路,被包括在基础半导体管芯中;以及多个垂直导电路径,电连接基础半导体管芯和所述多个核心半导体管芯...
用于压控振荡器(VCO)的装置、方法及系统制造方法及图纸
公开了一种用于压控振荡器(VCO)的系统和方法。第一VCO核心包括具有第一导电类型的第一交叉耦合(CC)晶体管对和具有第二导电类型的第二CC晶体管对。第二VCO核心包括具有第一导电类型的第三CC晶体管对和具有第二导电类型的第四CC晶体管...
显示驱动电路及其驱动方法技术
提供了一种显示驱动电路,包括:至少一个处理器,被配置为生成与多个模式中的第一模式相对应的第一伽马码;伽马电压生成器,被配置为生成与第一模式相对应多个伽马电压;数据驱动器,被配置为基于第一伽马码和多个伽马电压生成与第一伽马码相对应的数据信...
半导体器件及其制造方法技术
提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:沟道层;设置在沟道层上的阻挡层;设置在阻挡层上的栅电极;源电极和漏电极,连接到沟道层并且在栅电极的相应侧上;下场分布图案,在栅电极和漏电极之间彼此间隔开;以及上场分布图案,在下场分布图案上...
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