一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏...

公开了存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；第一复用器，包括连接到所述多条位线的多个晶体管；参考电路，生成参考电流；解码电路，将参考电流传输至第一复用器...

一种半导体器件包括：多个下沟道图案，彼此间隔开；多个上沟道图案，在所述多个下沟道图案上彼此间隔开；栅极结构，围绕所述多个下沟道图案和所述多个上沟道图案；下源极/漏极沟槽，位于所述多个下沟道图案的至少一侧；上源极/漏极沟槽，位于所述多个上...

根据各种示例实施例的存储器设备包括：存储器单元阵列，具有连接到字线和位线的多个存储器单元；以及错误校正电路，被配置为对从存储器单元阵列读取的数据执行错误校正，其中，错误校正电路被配置为使用奇偶校验矩阵执行1比特错误校正操作、2比特错误检...

一种半导体封装包括与至少一个第一焊盘接触的至少一个第一互连导体、以及在该至少一个第一互连导体的相对侧的第一外围导体，该第一外围导体在第一水平方向上延伸。该半导体封装还包括与至少一个第二焊盘接触的至少一个第二互连导体、以及在该至少一个第二...

本公开提供了用于管理存储器资源的CXL设备、电子设备和数据存储方法。根据示例实施例的CXL设备可以包括：存储器，被配置为存储第一数据；以及控制逻辑，被配置为计算CXL设备的第一使用比率，并且被配置为响应于第一使用比率大于参考值，通过CX...

该电子设备包括：转换器，其包括第一变压器，该第一变压器包括初级绕组和次级绕组；第一整流器，其连接到第一变压器的次级绕组并且包括二极管；以及第二变压器，其包括初级绕组和次级绕组，其中第一变压器的次级绕组是单个绕组，并且第二变压器的初级绕组...

提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道结构；在沟道结构上的栅极结构；在沟道结构上的第一源极/漏极区；在栅极结构下方的衬底层；在衬底层下方的第一蚀刻停止层；背侧间隔物，在衬底层和第一蚀刻停止层的侧表面上；以及背侧接触结构...

本公开涉及用于协同操作的驱动器间通信，其中，公开了一种系统。该系统可以包括两个设备，以及与两个设备通信的处理器。缓冲器可以存储包括从一个设备到另一个设备的通信的条目。

公开了一种用于在无线通信中进行解码的系统和方法。在一些实施例中，一种方法包括：接收参考信号；基于参考信号来生成信道估计；确定信道估计的信道估计误差度量；接收传输；基于信道估计误差度量，针对传输的多个比特位置中的每一个来计算对数似然比；和...

公开了一种用户装备（UE）及其操作方法，所述用户设备支持第一无线电接入技术（RAT）网络和第二RAT网络，所述UE包括：处理电路系统，被配置为监测所述UE的位置是否已经从第一位置改变以获得监测结果，并且基于监测结果来执行到第一RAT网络...

一种层沉积设备包括：处理室，所述处理室被配置提供用于处理衬底的空间，所述处理室包括限定内部空间的上腔室和下腔室；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述处理室内并且被配置为支撑所述衬底；灯加热部，所述灯加热部在所述处理室外部设置在所述上腔室...

本公开总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地，涉及命令处理设备及包括命令处理设备的显示驱动集成电路。一种命令处理设备包括异步先进先出(FIFO)单元、模式配置单元和后处理单元。异步FIFO单元从外部设备接收多个命令，并存储多个命令。模式...

公开了半导体器件和半导体器件的制造方法以及电子系统。所述半导体器件包括栅极堆叠结构、多个沟道结构和分离图案。所述多个沟道结构包括邻近沟道结构，邻近沟道结构包括第一部分，第一部分具有与分离图案邻近的邻近表面和与分离图案间隔开的分离表面。栅...

半导体器件可以包括：第一、第二和第三源/漏图案，第一和第三源/漏图案之间的半导体图案，与半导体图案接触的栅极介电层，与栅极介电层接触的栅电极，位于第一和第二源/漏图案之间的阻挡半导体图案，与阻挡半导体图案接触的阻挡介电层，以及与阻挡介电...

提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述抗蚀剂组合物包括由式1‑1至1‑4之一表示的第一有机金属化合物和由式2表示的第二有机金属化合物：其中式1‑1至1‑4和2中的M<subgt;11</subgt;、M<subg...

提供一种用于预测场内晶片的良率的方法和装置以及用于制造晶片的系统。用于预测场内晶片的良率的方法包括：生成关于场内晶片的剩余工艺的至少一个虚拟工艺路径；以及通过使用训练的良率预测模型来预测与所述至少一个虚拟工艺路径对应的虚拟出厂晶片的良率。

公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M<subgt;1</subgt;为过渡金属，L<subgt;1</subgt;为由式1A表示的配体，L&...

一种图像传感器包括：衬底；第一像素，其设置在衬底中，第一像素包括第一光电转换区；第二像素，其设为在衬底中邻近于第一像素，第二像素包括第二光电转换区；第一像素中的第一浮置扩散区；第二像素中的第二浮置扩散区；衬底上的绝缘层；以及穿过绝缘层并...

一种存储器件，包括存储单元阵列、感测放大器、电压产生电路和控制电路。存储单元阵列包括：多条位线，连接到多个存储单元；以及屏蔽位线，布置在多条位线之间以及多条位线的下部上。感测放大器被配置为：感测并放大从多个存储单元之中选择的存储单元中存...