一种半导体器件测试用开尔文表笔，包括两个表笔，两个表笔能够通过笔身上设置的磁铁合在一起，两个表笔笔身的端部各设有一探头即笔尖；两个笔身合在一起时实现开尔文连接；一对探头即笔尖经笔身的电桥电路后从表笔的测试接口输出测试信息。

一种FRD的外延层结构芯片，对于高压500‑1700V的FRD器件，使用双层外延层：第一层外延层即在衬底上先淀积的层，为N型轻掺杂外延，掺杂离子为磷，电阻率范围为0.5‑10ohm.cm,厚度范围小于20um；第二层外延层即在第一层外延...

一种改进型打墨器，包括墨管、墨针、墨线，支架及线圈，支架上安装墨管、墨针，墨线是纤维杆贯通安装在墨管、墨针的内部，墨管为储墨容器位于墨针的上部，墨针内径加粗0.2mm，达到0.9mm。构简单，本技术应用与改造简单，更换墨针即可，提高生产...

本实用新型公开了一种氮氢混合气设备，包括

适用于光伏的

一种增加硼磷硅玻璃层的肖特基二极管，包括基底，基底的上表面为半导体薄膜，半导体薄膜的上表面上设有左半

一种增加结深的肖特基二极管，包括基底，基底的上表面为半导体薄膜，半导体薄膜的上表面上设有左半

一种碳化硅肖特基二极管器件，包括基底和N

一种无截断环碳化硅二极管器件，包括：自下至上依次为N型衬底20，采用4H

本实用新型公开了一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块、焊片一并接引线、第一保护基片、芯片、第二保护基片、底板连接焊片二；封装体封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板的面积大于第一、第二保护基...

一种新型底板封装结构的瞬态抑制二极管，包括瞬态抑制二极管管芯的封装体，瞬态抑制二极管管芯的结构从上至下依次为包括散热块、焊片一并接引线、第一保护基片、芯片、第二保护基片、底板并连接焊片二；封装体封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板的面积...

一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具，包括底板，所述底板安装多个电连接的测试与老化单元，每个单元的电连接过程如下：一个电极接器件的电压输入端，设有三个电极接器件的信号输出端；所述电压输入端与器件的信号输出端正好满足两种碳化硅...

一种改进绝缘耐压性能的大功率电源模块，包括从上到下按序连接的上电极、镀金钼片、焊料层、芯片、焊料层、镀镍钼片、焊料层、覆铜陶瓷片、底板，其中覆铜陶瓷片的厚度为1.335

一种集成结势垒肖特基二极管的MOSFET器件，器件自下至上包括漏极，重掺杂N型衬底，N

改善沟槽型MOS肖特基高温反偏老化性能的方法及器件，器件从下至上由背面金属层、N+型衬底层、N

一种纯铂金势垒肖特基二极管的制备方法，首先在钼大盘上沉积一层铂金属，然后将硅片放置在钼大盘上，通过高纯氩离子轰击硅片表面，去掉硅片表面的自然氧化层，同时氩离子轰击硅片外的大盘，将大盘上的铂金属轰击后沉积到硅片表面；接着在硅片铂层表面沉积...

一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n

本实用新型公开了一种新型封装的瞬态电压抑制模块，包括4‑11只瞬态电压抑制二极管(1)，镀银铜片(2)，塑封体(3)，2个镀银铜片为相同矩形镀银铜片，在2个镀银铜片之间均匀安装并分别焊接瞬态电压抑制二极管(1)的正负极，使用环氧树脂进行...

一种高磷掺杂N型截止环结构的肖特基二极管，以N型半导体为基片，基片上形成N‑外延层，N‑外延层上为阳极使用钼或铝等材料制成阻档层；其特征是，在肖特基二极管划片道注入了磷离子。截止环设计在划片道内或外，截止环宽度应大于原有的划片道宽度。在...

本实用新型分开了一种溅射磁控系统，包括圆形磁铁座3只、与圆形磁铁座对应的靶座3只、一只档板，条形磁铁、靶材，导磁体，所述的圆形磁铁座放在靶座上，三只靶座放上真空腔盖上，档板位于真空腔内；真空腔盖对应靶座的下方设有导磁体；所述的条形磁铁(...