一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块、焊片一并接引线、第一保护基片、芯片、第二保护基片、底板连接焊片二；封装体封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板的面积大于第一、第二保护基、芯片的面积；环氧包裹底板并露出底面，底板的四周的封装体厚度为0.3

【技术实现步骤摘要】
一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管


[0001]本技术涉及二极管制造领域，更具体地说，涉及一种新型钼片封装的瞬态抑制二极管。

技术介绍

[0002]瞬态电压抑制二极管(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS。它是为了解决电子设备中电路通断、静电放电以及电磁干扰产生的电压瞬变和电流浪涌等问题而设计出的一种高性能保护用器件,是电子电路中最重要的电子元器件之一，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10
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秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏，已广泛地应用于各种民用和军用电子产品中。特别是在航天、航空和海洋工程、海军军用装备等领域的应用中,对瞬态抑制二极管的功率要求越来越高，对其稳定性和可靠性的要求已变得越来越高了。由于受到高电压的工作条件，湿气环境时易使芯片的工作异常甚至失效，现有的TVS在灌封封装体前，侧边存在挂锡的问题。易使芯片的工作异常甚至失效(湿气侵袭)，所以封装的结构仍须改进。
[0003]本技术通过一种新型的简单的、1个或者2个芯片的封装的环氧设计，配合相应膨胀系数的保护基片的大功率微电子封装，确保在极限温差范围内重复循环保持TVS器件不失效和芯片不破裂(产生裂纹)。参考文献：徐桂善.瞬态电压抑制器TVS的特性及应用.世界电子元器件,1999年(6期)。
专利技术内容
[0004]本专利技术要解决的技术问题，针对现有技术中存在的进行灌封封装体前，侧边存在挂锡的问题，导致灌封封装体环氧包裹性差的问题，本专利技术提供了一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，它可以实现一种新型结构且简单的大功率微电子封装，确保在封装作业后，环氧包裹性优于现有产品，提高瞬态抑制二极管的良率。
[0005]本技术的目的通过以下技术方案实现，一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块1、焊片一2并接引线7、第一保护基片、芯片3、第二保护基片、底板4连接焊片二6；封装体8封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板4的面积大于第一、第二保护基片5、芯片3的面积；底板的四周的封装体厚度为0.3
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4mm。第一与第二保护基片使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片，既能保护芯片，又能增加瞬态抑制二极管的可靠性；通过使用侧边无镀层的镀镍钼片，可以提高瞬态抑制二极管的良率，增加其可靠性。
[0006]有益效果：相比于现有技术，本技术的优点在于：针对现有技术中存在的产品在进行灌封封装体前，侧边存在挂锡的问题，使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片，既能保护芯片，又能增加瞬态抑制二极管的可靠性；通过将镀镍钼片镀层由全包裹改为侧边
无镀层，使得产品在进行灌封封装体前，侧边无挂锡，提高瞬态抑制二极管的良率。(1)环境适应性范围广，可以承受零下50℃到125℃的使用环境。由于采用有针对性的设计和材料，确保本技术可以在极端温度条件下正常工作。(2)本技术的散热快，稳定性和可靠性强，使用寿命长。由于采用有针对性的设计和材料的封装设计，有效保护了芯片，提高瞬态抑制二极管的稳定性和可靠性。
附图说明
[0007]图1是一种新型封装的瞬态抑制二极管的结构示意图(双二极管管芯)；
[0008]图2是图1的俯视图；
[0009]图3是一种新型封装的瞬态抑制二极管的内部结构图；
[0010]图4是图3的正面俯视图；
[0011]图5是图3的反面俯视图；
[0012]图6是新型封装的瞬态抑制二极管的立体示意图。
[0013]图7是一种新型封装的瞬态抑制二极管的结构示意图(单二极管管芯)。
[0014]图中标号说明：
[0015]1、散热块；2、焊片一；3、(第一、第二)芯片；4、底板；5、(第一、第二、第三)保护基片；6、焊片二；7、引线；8、封装体。
具体实施方式
[0016]下面结合说明书附图和具体的实施例，对本技术作详细描述。
[0017]瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块1、焊片一2并接引线7、第一保护基片、芯片3、第二保护基片、底板4连接焊片二6；封装体8封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板4的面积大于第一、第二保护基片5、芯片3的面积；底板的四周的封装体厚度为0.3
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4mm。保护基片使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片；
[0018]双芯的实施例：产品名：TPK30KP400A，如图1、图2和图3所示，本技术包括散热块1、焊片一2、引线7、第一保护基片5、第一芯片3、第二保护基片5、第二芯片3、第三保护基片5、底板4、焊片二6、封装体8。通过相应的碳舟按照图1所示组装，引线7通过焊片一2与散热块1和图1所示上面的第一保护基片5相连接，第一与第二保护基片5通过两个焊片二6与第一芯片3连接，第二、第三保护基片5通过两个焊片二6与第二芯片3连接，其下部底板4通过焊片二6与第三保护基片5连接。保护基片使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片；组装后通过BTU焊炉焊接成半成品(BTU炉能防止氧化)，焊片可用融化温度在310度左右的高温铅锡焊料，保护基片5可用镀镍钼片，钼的热膨胀系数较低可有效保护芯片；通过封装模具灌封封装体8，封装体8采用环氧树脂，散热性能好，图4和图5表示了本技术正反面的示意图，图6表示了本技术的立体示意图。侧边无镀层的镀镍钼片是镀镍只镀在钼片的正反表面。
[0019]封装体(8)上部有孔，散热块(1)置于孔内，散热块(1)顶部与封装体(8)顶部齐平。散热块的上端面从封装体8露出。
[0020]所述的第一、第二、第三保护基片(5)为保护基片使用侧边无镀层的镀镍钼片作为保护基片；
[0021]所述的芯片(3)为瞬态抑制二极管芯片、肖特基芯片或者高压二极管芯片等。
[0022]所述的底板(4)为铜底板或钼铜合金底板。
[0023]以上示意性地对本专利技术创造及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本专利技术创造的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本申请的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型钼片封装结构的瞬态抑制二极管，其特征是，瞬态抑制二极管管芯结构从上至下依次为包括散热块、焊片一并接引线、第一保护基片、芯片、第二保护基片、底板连接焊片二；封装体封装包裹瞬态抑制二极管管芯结构；底板的面积大于第一、第二保护基、芯片的面积；环氧包裹底板并露出底面，底板的四周的封装体厚度为0.3
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4mm；第一与第二保护基片使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨敏红，张超，刘韵吉，
申请(专利权)人：桑德斯微电子器件南京有限公司，
类型：新型
国别省市：