本发明公开了一种超宽带多路空间功率合成器，包括：输入扩展同轴结构、输出扩展同轴结构、连接轴、楔形托盘、平衡式鳍线PCB和馈电PCB，连接轴的两端分别与输入扩展同轴结构和输出扩展同轴结构连接，多个楔形托盘构成同轴介质传输线，多个楔形托盘的...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域，包括：衬底；位于衬底一侧表面的功能层；功能层形成有至少一个主晶体管和至少一个辅助晶体管；主晶体管的源端与辅助晶体管的漏端连接；辅助晶体管的源端接地，辅助晶体管的栅端空置或...

本发明公开了一种功率放大器及电子设备，涉及半导体器件技术领域，包括主晶体管、辅助晶体管、偏置电路、输入匹配电路和输出匹配电路；主晶体管的栅端与输入匹配电路连接，主晶体管的漏端与输出匹配电路连接，主晶体管的栅端与主晶体管的漏端分别连接有对...

本发明公开了一种多芯片堆叠封装结构及多芯片堆叠封装结构制备方法，应用于半导体领域，包括：多层芯片结构；沿多层芯片结构的层叠方向的一侧连接有第一基板，多层芯片结构背向第一基板的一侧，连接有第二基板；第一基板与第二基板之间，沿多层芯片结构周...

本发明公开了一种半导体晶圆中缓冲层电导率测试结构及其制备方法，应用于半导体领域，该半导体晶圆中缓冲层电导率测试结构包括：衬底，以及沿远离衬底的方向依次生长的缓冲层、沟道层和势垒层；沟道层和势垒层形成的异质结界面处形成有经隔断区分隔的二维...

本发明公开了一种门限电路、关闭电路和偏置电路，涉及集成电路技术领域。分压电路的输出端和第一开关管的控制端连接；第一开关管的第一端连接电源，第二端接地。通过分压电路提供控制电压，根据实际输入电压和控制电压导通或者截止第一开关管。通过控制电...

本申请提供一种Lange定向耦合器，包括：微带耦合线，包括端口及由端口延伸形成的微带支路，微带支路包括第一微带线层和第二微带线层；耦合区，包括顺沿所述微带耦合线的延伸方向排列的弱耦合区和强耦合区，所述弱耦合区在相对所述强耦合区更靠近所述...

本发明公开了一种用于控制射频电路的关闭装置以及偏置电路，涉及集成电路技术领域。电压比较装置与分压电路的分压端连接，且与第一开关管的控制端和第一端连接；第一开关管的第二端接地，且连接射频电路的射频输入端；实现门限电路的门限电压在第一开关管...

本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底；衬底表面设置有半导体层；半导体层背离衬底的表面设置有源极和漏极，以及位于源极和漏极之间的介质层；介质层中设置有沿厚度方向贯穿介质层的栅极沟槽，栅...

本发明公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，应用于晶圆封装领域，包括：提供晶圆预制件；在晶圆预制件的上表面制备有机可焊性保护层，以至少覆盖位于晶圆预制件上表面的金属焊盘；在至少部分对应于金属焊盘的有机可焊性保护层的表面，制备含有助焊...

本发明公开了一种高加速应力试验机，包括试验箱体；用于承载试验器件的PCB板；设置在试验箱体的外部的电阻匹配板，电阻匹配板上配置有多路测试电路，每路测试电路均包含有限流电阻和保险丝；以及导电线缆；当PCB板在试验箱体的内部时，每路测试电路...

本申请公开了一种通信装置及其射频前端模块，应用于通信技术领域，包括：第一通道切换电路具有N个频段的通信通道，用于在第一控制端的控制下，调整各个频段的通信通道与收发机之间的连接关系，以使得相应频段的通信通道连接至当前为该通信通道所指定的射...

本发明公开了一种体声波器件的制备方法及体声波器件，涉及体声波器件技术领域，包括：在体声波结构表面贴附第一膜层；刻蚀第一膜层以及体声波结构，形成连通下空腔的释放孔，以及基于第一膜层形成的上空腔侧壁；在刻蚀第一膜层后，基于释放孔释放牺牲层，...

本发明公开了一种放大器芯片、放大器模组、射频前端系统及射频装置，涉及放大器领域，若需要对放大器当前处理的信号进行增益调节，则可以根据增益调节的需求选择第二冗余端口与第一冗余端口进行连接，从而控制对应的衰减电路中的启动开关导通，将衰减网络...

本申请公开了一种抗阻塞放大器以及一种射频接收系统，属于射频技术领域，该放大器包括：晶体管模块，若模块内有1个晶体管，晶体管的漏极和栅极之间设有RLC电路，晶体管的源极与地之间设有RL电路，晶体管的栅极和漏极分别为模块的输入端和输出端；若...

本发明涉及开关测试领域，特别是涉及一种nPmT开关的测试方法、装置及nPmT开关，通过接收待测nPmT开关的射频通道信息；根据所述射频通道信息，确定对应的菊花链串行方案；所述菊花链串行方案包括多个菊花链串行导通测试方案，多个所述菊花链串...

本发明公开了一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片，涉及功率放大器技术领域。通过复合管结构的至少两个晶体管的连接关系，相比于传统的偏置电路内三极管串联结构，增大了对温度变化的反馈强度，达到较好的温度补偿。第一电路、第一晶体管和功...

本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及芯片隔离封装结构及方法，包括相邻层叠的两层介质基板；位于上方的介质基板的下表面包括向下金属围坝，位于下方的介质基板的上表面包括向上金属围坝；所述向上金属围坝与所述向下金属围坝位置对应，且相互连接组成芯片...

本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及一种芯片散热封装结构及其生产方法、芯片封装模组及电子设备，包括封装基板、球栅阵列及散热连接件，所述封装基板包括两侧的工作面及散热面；封装芯片设置于所述工作面；所述球栅阵列与所述散热连接件设置于所述散热面...

本发明公开了一种射频开关用控制芯片、射频开关模块及其封装流程，涉及射频开关领域，控制芯片通过输出端口与射频开关模块连接，射频开关模块中设置了多个射频开关单元，可以在冗余端口与对应的输出端口进行连接的基础上，将冗余端口与其他输出端口进行额...