本技术提供了一种红外探测器封装装置以及红外模组，涉及红外封装技术领域，红外探测器封装装置包括基板和壳体，基板上设有光敏区，壳体的一端用于与基板紧密相连，且壳体盖设于基板上所承载的光敏区，壳体设有通光通道，通光通道正对光敏区设置，壳体盖设...

本技术公开了一种封装芯片测试装置，包括底座以及与底座连接的上盖，底座上设有承载槽和出光槽，承载槽设于底座靠近上盖的一侧，用于容纳封装芯片；出光槽与承载槽连通，包括与封装芯片测试装置的外部连通的出光口；上盖能够相对于底座打开或闭合，上盖相...

本技术公开了一种指纹识别装置及终端，应用于指纹识别技术领域，包括红外激光器和红外探测器，红外激光器和红外探测器均位于OLED层的背侧，背侧为OLED层背向触摸面一侧；红外激光器用于发射至少对OLED层具有透过性的红外线，红外探测器用于接...

本发明涉及红外探测领域，特别是涉及光伏型红外探测器及红外探测设备，包括层叠的N型掺杂层及P型掺杂层；所述N型掺杂层及所述P型掺杂层组成方向相反的光电探测PN结及稳压PN结；所述光伏型红外探测器工作在偏置电压下，且所述稳压PN结的正向导通...

本申请涉及半导体领域，公开了一种带间级联激光器及其制备方法，包括：衬底；位于衬底上的第一混合波导、第一波导层、有源层、第二波导层、第二混合波导；第一混合波导包括由下至上层叠的第一外限制层和第一超晶格限制层，第二混合波导由下至上层叠的第二...

本发明公开了一种红外探测芯片及其制备方法，应用于红外探测器技术领域。该芯片包括焦平面阵列功能层和读出电路，二者通过倒装互联工艺结合；功能层核心为组分可调的InGaAsSb吸收层，可以完整地覆盖短波大气窗口波段1.0μm～3.0μm；功能...

本申请涉及激光器领域，公开了一种带间级联激光器及其制作方法，包括：准备激光器预制结构体；所述激光器预制结构体包括衬底、脊结构和介质层；所述脊结构包括脊条；在所述激光器预制结构体的表面涂覆负性光刻胶，形成负性光刻胶层；对所述负性光刻胶层进...

本发明涉及激光发射领域，特别是涉及一种量子级联激光器及其制备方法，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、级联区、上波导层及上限制层；所述下限制层及所述上限制层为n型InAsSb层，所述下波导层及所述上波导层为n型AlGaAsSb层；...