【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种带间级联激光器及其制备方法。
技术介绍
1、带间级联激光器（interband cascade laser，icl）是一种有效的全固化中红外光源，广泛应用于通信、痕量气体监测、电子对抗和环境监控等领域。
2、目前，带间级联激光器中外延结构包括位于衬底上的下超晶格包层、下波导层、有源区、上波导层、上超晶格包层和盖层，衬底材料为gasb，盖层的材料有gasb和inas两种。当盖层的材料为gasb，盖层经过刻蚀形成光栅，有源区、上波导层、上超晶格包层和光栅经过刻蚀形成脊波导结构。超晶格包层对光场起到限制作用，下超晶格包层较厚，外延生长过程中更易产生缺陷，并且超晶格材料外延生长难度比较高，导致外延生长比较难。当盖层材料为inas时，由于inas与gasb衬底之间存在晶格失配，顶部无法生长厚度满足制备光栅需求的inas盖层，因此需要刻蚀到上超晶格包层形成光栅，刻蚀超晶格包层容易产生缺陷，导致良率比较低。
3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
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【技术保护点】
1.一种带间级联激光器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于，当所述衬底（1）为GaSb衬底时，所述第一外限制层（2）和所述第二外限制层包括InAsSb层，所述第一超晶格限制层（3）和所述第二超晶格限制层（7）包括InAs/AlSb超晶格层。
3.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于，当所述衬底（1）为InAs衬底时，所述第一外限制层（2）和所述第二外限制层包括InAs层，所述第一超晶格限制层（3）和所述第二超晶格限制层（7）包括InAs/AlSb超晶格层。
4.如权利要求3所述的带间级联激光...
【技术特征摘要】
1.一种带间级联激光器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于，当所述衬底（1）为gasb衬底时，所述第一外限制层（2）和所述第二外限制层包括inassb层，所述第一超晶格限制层（3）和所述第二超晶格限制层（7）包括inas/alsb超晶格层。
3.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于，当所述衬底（1）为inas衬底时，所述第一外限制层（2）和所述第二外限制层包括inas层，所述第一超晶格限制层（3）和所述第二超晶格限制层（7）包括inas/alsb超晶格层。
4.如权利要求3所述的带间级联激光器，其特征在于，所述inas/alsb超晶格层中，inas层的厚度范围为22å~25å，alsb的厚度范围为22å~25å。
5.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于，所述第二外限制层、所述第二超...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，
申请(专利权)人：睿创光子无锡技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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