本发明涉及低噪声带隙基准。使用双极晶体管交叉耦合回路的级联和的低噪声带隙电压基准。这些回路被设计为提供一带隙电压基准和二带隙电压基准所需的总PTAT电压。所述PTAT电压噪声是所述回路中的每个晶体管的噪声电压的平方之和的平方根。所述基准...