提供能够实现高晶体性功能性薄膜的外延生长并且能够抑制层间剥离等问题的层叠构造体及其使用和制造装置。该层叠构造体具备至少表面由单晶构成的基板、以及包含设置在所述基板的单晶表面上的氧化锆（ZrO2）作为主成分的晶体性取向控制膜。另外，包含晶...

提供能够实现功能性薄膜的外延生长、同时抑制了层间剥离等问题并抑制了功能性薄膜的裂纹进展的层叠构造体。该层叠构造体具备至少表面由单晶构成的基板、包含设置在所述基板的单晶表面上的氧化锆（ZrO2）作为主成分的晶体性取向控制膜、以及设置在所述...

本发明提供压电特性优异且位移量大的薄膜压电器件。该薄膜压电器件具备基板和支承于所述基板的可动部。所述可动部至少具备设置在所述基板之上的包含氧化锆(ZrO<subgt;2</subgt;)的缓冲膜、设置在所述缓冲膜之上的第一电...

膜构造体(10)具有：Si层(12a)；ZrO<subgt;2</subgt;层(12b)，是形成于Si层(12a)上、包含ZrO<subgt;2</subgt;的缓冲膜；和压电体膜(11)，形成于ZrO<...

膜构造体(10)具有：Si层(12a)；ZrO<subgt;2</subgt;层(12b)，是包含形成于Si层(12a)上的ZrO<subgt;2</subgt;的缓冲膜；和压电体膜(11)，形成于ZrO<...

通过本发明，可提供：膜结构体(10)，其依次具有基板(1)、包含氧化锆的膜(2)、牺牲层(3)及压电膜(4)，上述基板、上述包含氧化锆的膜、上述牺牲层及上述压电膜分别进行了单晶化，能将上述牺牲层选择性地除去；上述膜结构体的制造方法；以及...

膜构造体(10)具有：基板，为Si基板或SOI基板；缓冲膜，形成于基板上的包含ZrO<subgt;2</subgt;；和压电体膜(11)，形成于缓冲膜上，压电体膜(11)的极化方向优先取向为与基板平行。