膜构造体以及电子器件制造技术

技术编号：43460942 阅读：9 留言：0更新日期：2024-11-27 12:59

膜构造体(10)具有：Si层(12a)；ZrO<subgt;2</subgt;层(12b)，是形成于Si层(12a)上、包含ZrO<subgt;2</subgt;的缓冲膜；和压电体膜(11)，形成于ZrO<subgt;2</subgt;层(12b)上，Si层(12a)是Si(100)基板、或者包含由Si基板构成的基体、基体上的绝缘层、和绝缘层上的由Si(100)膜构成的SOI层的SOI基板中的SOI层，压电体膜(11)包含c轴取向的LiNbO<subgt;3</subgt;或者LiTaO<subgt;3</subgt;。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及膜构造体以及电子器件。

技术介绍

1、已知具有基板和在基板上成膜的压电体膜的膜构造体、以及具备该膜构造体的电子器件。此外，作为压电体膜，已知铌酸锂(linbo3)等具有钛铁矿构造的压电体膜。

2、在日本特开2013-173647号公报(专利文献1)中，公开了以下技术：在电介质层叠薄膜中，在单结晶si(111)基板面上，形成有以氧化锆(zro2)为主要分量的外延生长的至少一层基底膜，在基底膜上，形成有由钛铁矿构造的电介质材料构成的外延生长的钛铁矿构造膜。

3、在日本特开2016-109856号公报(专利文献2)中，公开了以下技术：具有单结晶基板、电介质层、和设置于单结晶基板与电介质层之间的缓冲层，电介质层为铌酸锂(linbo3)或者钽酸锂(litao3)，构成电介质层的结晶的c轴相对于单结晶基板的主面大致平行，缓冲层为六方晶的linbo2或者litao2，构成缓冲层的结晶的c轴相对于单结晶基板的主面大致平行。

4、在先技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2013-17364本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种膜构造体，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的膜构造体，其中，

3.根据权利要求2所述的膜构造体，其中，

4.根据权利要求2所述的膜构造体，其中，

5.根据权利要求3所述的膜构造体，其中，

6.一种电子器件，其特征在于，

7.一种电子器件，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，

9.根据权利要求6所述的电子器件，其中，

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中，

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中，