在光纤激光器、自发发射光源和光纤放大器中，虽然以前利用０．６７μｍ或０．８μｍ的激发光来激发掺杂有铥（Ｔｍ）离子的光纤，但仍存在性能随着时间推移而退化的问题。采用１．２μｍ的光作为激发光，或者采用能够将铥自基态［３］↑Ｈ↓［６］到激发态...

本发明提供一种ＤＢＲ型波长可变光源，其具有更宽波段的波长可变特性，可实现６ｎｍ以上的连续波长移动，且与现有技术相比，具有高输出。在衬底（２１）上形成的光波导包括具有发光功能的有源区光波导（２２）和设置在该有源区（２２）两端的无源区光波导...

本发明提供一种减小电极焊盘部分的电容，同时对于实用性的电极焊盘尺寸能够进行特性阻抗的控制的半导体衬底上的电极焊盘。在ｎ－ＩｎＰ衬底１上，形成将ｎ－ＩｎＰ包层２、ｉ层３、ｐ－ＩｎＰ包层与ｐ型接触层４叠层而成的台面条纹型的光波导，在ｎ－Ｉｎ...

在ｐ型基板上的低台面埋入元件结构中，为了具有高的元件特性，提高制造的成品率和ｒｕｎ－ｔｏ－ｒｕｎ的再现性，使元件的接触层成长前，即上部金属包层成长后的截面形状变平坦，达到不使接触层的结晶性有问题的程度。在ｐ型半导体基板（１）上具有至少是...

本发明的光通信用光源部件不需要非常复杂的设置和控制以及非常昂贵的光部件（波长锁定装置），就能够简单并且廉价地设置和控制光输出波长和光输出功率。将构成产生光输出的第１装置（１）的发光元件的用于决定光输出波长对驱动电流和元件温度的依存性的至...

一种集成光波导路，其特征在于，具有：　　　　第一光波导区域；　　　　与所述第一光波导区域的边界面配置成相对所述第一光波导区域的波导方向倾斜，折射率与第一光波导区域不同的第二光波导区域；和　　　　以在与所述第二光波导区域的边界面中的折射方...

在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和／或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在...

一种双向印刷天线，包括：电介质基底，它具有大体平行的第一和第二表面；至少一对辐射单元导体，它们具有相同的形状和尺寸，其每一对分别被设置在第一和第二表面上彼此相对的位置处；一个馈电电路，它与每一个辐射单元导体的至少一个边相耦合；以及，设置...

在用在诸如ＴＤＤ（时分双工）系统之类的时分通信系统中的阵列天线中，在不使用外部信息的情况下，在实际通信过程中，在收发器自身中校准每个天线振子的振幅和相位。第一发射器（１—３—１）具有向天线振子（１—１—１）发送发射信号，以及向至少一个接...

本发明的展开型反射镜具有连结装置，该连结装置架设于构成展开桁架的多个伸缩部件之间，连结屈曲模态的腹点所对应的部分和节点所对应的部分，该屈曲模态是当向表面缆索施加张力时在伸缩部件上产生的。此外，由内侧表面缆索和结合在其外周上的外周表面缆索...

本发明提供一种实现小型且高增益化的天线装置。天线装置由组合多个电介质层的多层电介质基片构成，将馈电天线设置在所述多层基片的下层，并且，在所述馈电天线的上方设置反射金属板，进而，还在所述多个电介质层中配置圆形或矩形的环状金属，使直径从下层...

一种用于通过氢与氧的电化学反应发电的燃料电池发电系统，其包括：　　　　用于通过燃料的蒸汽重整反应产生含氢重整气体的重整装置；　　　　用于通过所述重整气体中的氢或氢和一氧化碳与氧的电化学反应发电并将所述发电产生的废热和蒸汽供给至所述重整装...

在以往的金刚石半导体元件中，晶体缺陷密度高，不能将金刚石特有的高热导率、高介质击穿场强、高频率特性等物理特性反映在晶体管特性上。通过使金刚石基板的面方位稍稍偏离［００１］方向，可以大幅度地降低金刚石特有的晶体缺陷。通过使单晶金刚石薄膜、...

一种具有微机电系统的半导体器件，其特征在于包括：　　　　集成电路形成于其上的半导体衬底（１）；　　　　许多单元（２），其形成在所述半导体衬底上并包括在第一电子信号的基础上进行物理移动的可移动部件（２０２），　　　　每个所述单元至少包括　...

本发明提供了一种ｐ型氮化物半导体结构，通过在加工损伤的ｐ型氮化物半导体上再生长含Ｉｎ的ｐ型氮化物半导体，可修复加工损伤，大幅度改善欧姆特性。此外，还提供了一种可显著改善电流增益并显著提高开启电压的ｐ型氮化物半导体双极晶体管。在通过蚀刻处...

本发明提供能得到高品质的氮化物半导体晶体层的氮化物半导体生长用衬底。与本发明的一实施形态有关的在蓝宝石衬底（１）上生长氮化物半导体层用的氮化物半导体生长用衬底，具备在蓝宝石衬底（１）上另行设置的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］层（２）、作为第１层...

在下电极层（１０３）和上电极（１０５）之间夹着铁电层（１０４）。当在下电极层（１０３）和上电极（１０５）之间施加预定电压（ＤＣ或脉冲）从而改变铁电层（１０４）的电阻值，以便切换稳定的高电阻模式和低电阻模式时，获得存储操作。通过读取给上电...

重掺杂了硅（Ｓｉ）的ｎ型ＩｎＰ副集电极层２、ＩｎＰ集电极层３、重掺杂了碳（Ｃ）的ｐ型ＧａＡｓ↓［（０．５１）］Ｓｂ↓［（０．４９）］基极层４、掺杂了Ｓｉ的ｎ型ｌｎ↓［（１－ｙ）］Ａｌ↓［（ｙ）］Ｐ发射极层７、重掺杂了Ｓｉ的ｎ型ＩｎＰ盖帽...

一种由非磁性物质组成的磁体，包括：　　　　一多个局部电子区域，每一个局部电子区域内，至少有一个电子被限制，形成一局部自旋；　　　　一势垒电位区域，其能量高于局部电子区域内电子一费米（Ｆｅｒｍｉ）能量，并且将电子限制在各自的局部电子区域内...

光存储媒体设有利用与对层叠波导全息图的入射光对应的衍射光读出数据的至少一个层叠波导全息图ＲＯＭ（２－７），以及与层叠波导全息图ＲＯＭ一体构成的用于数据读写的至少一个存储器（２－５）。另外，光存储媒体再现装置中设有：使光入射到光存储媒体的...