本发明提供一种磁路和具备该磁路的法拉第旋光器及磁光学元件。磁路(1)具有由钐－钴系磁铁构成的分别设置有供光通过的贯通孔的第一～第三磁铁，由第一～第三磁铁在前后方向上依次配置于同轴上而构成，在将光通过磁路的贯通孔的方向设为光轴方向时，第一...

本实用新型提供能够防止因保护片的卷入而刻划线不正确形成的玻璃基板的切断装置。玻璃基板(G)的切断装置(1)具备：平台(2)，其能够对配置到保护片(S)上的玻璃基板(G)进行载置；刻划刀片(5)，其在玻璃基板(G)的上表面形成刻划线(L)...

本发明提供一种放电容量优异的Ni系的钠离子二次电池用正极活性物质。钠离子二次电池用正极活性物质的特征在于，包括通式Na

本发明提供一种玻璃纤维原丝的制造方法，在该制造方法中，将由从漏嘴拉出的熔融玻璃构成的多个玻璃纤维单丝集束来形成玻璃纤维原丝，从而能够更加可靠地检测玻璃纤维单丝的断丝。包括如下工序：连续拍摄多个玻璃纤维单丝(f)而生成多个图像数据的拍摄工...

本发明提供能够稳定地得到45°的旋转角且进一步小型的法拉第旋光器和磁光学元件，该法拉第旋光器的特征在于，具有：磁路，其具有分别设置有供光通过的贯通孔的第一～第三磁铁体；法拉第元件，其配置于贯通孔内，且由光透射的顺磁性体构成，磁路沿前后方...

本发明提供一种集电体不易从电极层剥离且能够抑制放电容量或放电电压降低的全固体钠离子二次电池。本发明的全固体钠离子二次电池(1)的特征在于，具有：包含钠离子传导性氧化物的固体电解质层(2)；设置于固体电解质层(2)的第一主面(2a)上的正...

本发明提供高电压且高容量的新型的钠离子二次电池用正极活性物质。钠离子二次电池用正极活性物质的特征在于：包含通式Na

本发明提供高电压且高容量的新型的钠离子二次电池用正极活性物质。该钠离子二次电池用正极活性物质的特征在于：以氧化物换算的摩尔％计，含有：8～55％的Na

本发明提供玻璃卷筒的制造方法及玻璃卷筒，玻璃卷筒的制造方法包括：玻璃膜供给工序，将带状的第一玻璃膜(2A)向规定的方向送出；成膜工序，在第一玻璃膜(2A)的一个面(2a)上通过加热形成透明导电膜(3)，从而形成第二玻璃膜(2B)；保护膜...

玻璃树脂层叠体(1)具备：树脂层(2)、玻璃片(3)、将该玻璃片(3)与树脂层(2)接合的粘接层(4)、以及插入于粘接层(4)的内部的功能性膜(5)。粘接层(4)具备：位于树脂层(2)与功能性膜(5)之间的第一部分(4a)、位于玻璃片(...

本实用新型提供一种板玻璃的姿势变更装置，在板玻璃的姿势变更装置中，能够缩短所需的供给管的长度，节省载置装置的空间。姿势变更装置(2)是使板玻璃(G)升降以及旋转来变更板玻璃(G)的姿势的板玻璃(G)的姿势变更装置(2)，具备：搬运部(3...

本发明提供光取出效率高、发光强度优异的波长变换部件和使用该波长变换部件的发光装置。一种包含荧光体的板状的波长变换部件1，其特征在于，具有光入射面1a和与光入射面1a相对的光出射面1b，在将光入射面1a的表面粗糙度设为Ra

本发明的玻璃基板的特征在于，高温粘度10

本发明的玻璃盖在其一个表面上具有密封材料层，其特征在于，在密封材料层形成有空隙。

本发明的课题在于提供可抑制防眩光面等粗面状的凹凸面的闪光的透明物品。透明物品具备透明基材、以及设置在透明基材中的至少一个面上的粗面状的凹凸面。凹凸面以20μm以上的横向空间周期测定的表面粗糙度Sq为50nm以下。

本实用新型提供一种作业者能够高效地进行投入作业的玻璃基板的投入装置。在输送装置(27、28)的输送方向上游部(27)投入玻璃基板(G)的玻璃基板(G)的投入装置(1)具备：托盘(2)，能够保持将要投入到输送装置(27、28)的多个玻璃基...

本实用新型提供一种玻璃板制造装置。玻璃板(G)的制造装置(1)具备将矩形板状的玻璃板以水平姿态进行承载的平台(18)、和在所述平台(18)上限制玻璃板(G)的位置的定位装置(20)，其中，定位装置(20)具有按压部件(27、30)，按压...

本发明的玻璃板的特征在于，玻璃组成中的Li2O+Na2O+K2O的含量为0摩尔％以上且小于1.0摩尔％，且B2O3的含量为0摩尔％以上且小于2.0摩尔％，β‑OH值小于0.20/mm，自常温起以5℃/分钟的速度升温，在500℃下以1小时...

在将玻璃板(2)固定于支承台(3)上的状态下对从支承台(3)伸出的玻璃板(2)的端面(2a)进行加工时，在支承台(3)设置有能够对玻璃板(2)进行固定的固定部(9)、以及用刷子对玻璃板(2)进行支承的刷子支承部(11)。

在玻璃板(3)的搬运路径上从玻璃板(3)切断前端部(3a)以及最后部(3b)作为不需要部位之后，在将两个不需要部位(3a、3b)移送至搬运路径外的废弃区域并废弃时，在搬运路径上设置切断两个不需要部位(3a、3b)的共用的切断区域(C)，...