一种半导体器件的制造方法，包括形成氧化物半导体薄膜层（３），所述氧化物半导体薄膜层（３）主要包括具有至少一个不同于（００２）取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括（００２）取向和（１０１）取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括（...

一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层（３），所述氧化物半导体薄膜层（３）主要包括具有至少一个不同于（００２）取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括（００２）取向和（１０１）取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括（１００）取向...

本发明提供等离子体ＣＶＤ装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体ＣＶＤ装置，具有：第１电极，设置在反应槽内，并载放基板；第２电极，在所述第１电极的上方与所述第１电极相对，并在所述第２电极与所述第１电极之间生成等离子体；形成有多个...

一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层（３），所述氧化物半导体薄膜层（３）主要包括具有至少一个不同于（００２）取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括（００２）取向和（１０１）取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括（１００）取向...

一种薄膜晶体管包括基片（１，１１）和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源／漏电极（２，１４）（即源电极和漏电极）。一对低电阻导电薄膜（１０，２０）设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源／漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间...

一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层（３）。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的（００２）晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底（１）的方向具有择优取向，并且该（００２）晶格面具有至少为２．６１９的晶格间距ｄ↓［００２］。

一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。

将一种在Ｘ射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为５ｎｍ到１０ｎｍ的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。

本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片（１）安置在腔室（１０）中的阳极（１１ａ）的安置面上。在面对阳极（１１ａ）的阴极（１３）中形成流动通路（１３ａ），冷却水通过那里循环。在阳极（１１ａ）和阴极（１３）...