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日本板硝子株式会社专利技术
日本板硝子株式会社共有757项专利
受光元件阵列器件及其制作的分光器制造技术
本发明可适用于复回型配置的分光器,可使受光元件阵列芯片的受光部靠近输入光纤配置,且可抑制慧形象差,缩短光学系的长度,以使分光器小型化。该受光元件阵列器件把具有阵列状配置着许多光学元件的受光部的长方形芯片封入备有外引线的长方形外壳内,再把...
平面显示灯及光散射体图形的形成方法技术
本发明涉及采用一个或两个点光源的平面显示灯。这种平面显示灯包含:平板状导光体、覆盖该导光体底面的白色底板、覆盖导光体侧面的白色灯罩、覆盖导光体上表面的扩散板、以及分别配置在导光体一个侧面或相对的两个侧面上向导光体入射光束的点光源,在导光...
在切割区中设置的槽的结构及其应用制造技术
提供一种防止切割表面被硬质保护膜覆盖的半导体晶片时发生的保护膜剥离的切割方法。通过刻蚀在GaAs衬底的芯片周边部的切割区中形成两条平行的槽。其次,在半导体衬底的表面上形成SiO↓[2]膜作为表面保护膜。这时,在槽内表面上的保护膜和在衬底...
发光闸流晶体管及自扫描型发光装置制造方法及图纸
提供一种发光效率好的发光闸流晶体管。根据本发明,在p型及n型的AlGaAs层交互层叠在GaAs衬底上的GaAs缓冲层上的pnpn结构发光闸流晶体管中,特征在于GaAs缓冲层上面的AlGaAs层中的Al的成分呈台阶状增加的变化,或者Al的...
自扫描型发光装置的交叉连接金属布线结构制造方法及图纸
提供在pnpn结构上构成交叉连接布线的情况下,也可防止闩锁的金属布线结构。该金属布线结构具有:在用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的最上层之上设置的下部布线;和通过对覆盖着用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的绝缘膜开口的第一接触孔,与下部布线连...
自扫描型发光装置的掩模图形设计方法制造方法及图纸
提供在自扫描型发光装置中,制作兼有遮光层的金属布线时的最适当的掩模图形设计方法。在透明绝缘膜上形成的第一金属布线的掩模图形,在与传输元件的排列垂直的方向上与第一控制电极重叠的宽度为L1的情况下,选择L1,使其满足:L1>(S+dS)+a...
自扫描型发光器件阵列的驱动电路及自扫描型发光器件阵列制造技术
提供一种使用于自扫描型发光器件阵列,并且能够以简单的电路构成实现于电压源同样功能的驱动电路。驱动电路具有第1和第2缓冲器,和接这些缓冲器的输出端子的第1和第2电阻。第1缓冲器的输入端子接到第1脉冲电压源,且栅极端子接地。第2缓冲器的输入...
受光器件阵列和受光器件阵列芯片制造技术
提供可以减小受光器件阵列的尺寸和节距,并可以减小对相邻的受光器件的串扰的受光器件阵列。它是一种对半导体层层叠构成的受光器件进行隔离刻蚀的台面式构造的受光器件阵列,在n型InP衬底上,叠层n型InP层、i型InGaAs层(光吸收层)和p型...
自扫描型发光元件阵列芯片的布置方法、自扫描型发光装置、不良芯片的除去方法制造方法及图纸
提供一种可完全除去不良芯片的发光元件阵列芯片的布置方法。把多个具有在一端的面上直线状排列的多个发光元件构成的发光元件阵列、和在另一端设置的多个焊盘的长方形自扫描型发光元件阵列芯片,在基板上布置成锯齿状。此时,以使芯片一端沿着与芯片布置方...
光探测器阵列和使用该阵列的光通信监视模块制造技术
当使用对于在第i′和第(i+1)′信道之间具有波长间隔Δλ↓[i]的入射光栅周期为d和衍射序数为m的衍射光栅时,用L表示衍射光栅和光探测器之间的光程长度,用θ。表示平均出射角度,光探测器阵列中第i′和第(i+1)′光探测器间的间距p↓[...
使用自扫描型发光器件阵列的光写入头制造技术
提供用自扫描型发光器件阵列减少取出信号线的条数的写入头。各个SLED的φ1键合焊盘通过电阻R1连接到φⅠ总线上,φ2键合焊盘通过电阻R2连接到φ2总线上。此外,φ↓[S]键合焊盘通过电阻R↓[S]连接到φ↓[S]总线上,V↓[GA]键合...
发光元件矩阵阵列制造技术
用其他元件实现与发光闸流晶体管同样的功能,降低发光元件矩阵阵列的成本。将由晶体管和发光二极管构成的多个组合元件排列成直线状,组成矩阵。将多个组合元件每n个分成一组,将各组的晶体管的基极分别连接在基极选择线上,将各组中的发光二极管的阳极在...
发光闸流晶体管矩阵阵列制造技术
在下述的发光闸流晶体管矩阵阵列中,即,将以基板为公用阴极的三端子发光闸流晶体管的阵列分成以每n(n为2以上的整数)个发光闸流晶体管为一块,将各块内的n个发光闸流晶体管的栅极与分别独立的n条栅选择线连接,而且将各块内的n个发光闸流晶体管的...
发光元件阵列的光量设定方法技术
提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I-L特性的发光闸流晶体管的阵列中,不降低发光效率,获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量,在将相当于电流密度为50MA/m↑[2]的电流值的I-L特性曲线的切线与电流轴的切点...
受光元件和使用受光元件的光检测器制造技术
提供一种能够容易地检测光通信用的长波段的光强度的重心位置的受光元件。在n型InP基板上形成InGaAs层(i层),p型InP层,在n型基板的背面上形成电极,在p型层的表面的两端形成电极。入射到表面的点光被光电变换,作为光电流在p型层的表...
受光元件阵列制造技术
提供一种受光元件阵列,可以防止串扰引起的受光元件的特性劣化。在n-InP基板上叠层n-InP层、i-InGaAs层、n-InP层,在n-InP层内扩散Zn而形成p型扩散区,作成pin光电二极管。在该结构上,保护绝缘膜成膜到成为无反射条件...
发光闸流晶体管矩阵阵列制造技术
提供一种能够减小芯片面积的发光闸流晶体管矩阵阵列。把多个三端子发光闸流晶体管与芯片长边平行地排列成一行,把多个键合焊盘与芯片长边平行地排列成一行。由此可以使芯片面积最小化。
高透射板玻璃及其制造方法技术
本发明提供以下高透射板玻璃:由作为着色成分,以重量%表示,含有换算成0.005%~不足0.02%的Fe#-[2]O#-[3]的全部氧化铁、不足0.008%的FeO、0~0.25%的氧化铈,并且换算成Fe#-[2]O#-[3]的FeO与全...
发光闸流晶体管及自扫描型发光装置制造方法及图纸
提供一种发光效率好的发光闸流晶体管及自扫描型发光装置,该发光闸流晶体管的特征在于备有:p型的阳极层;与上述p型的阳极层相接形成的n型的栅极层;与上述n型的栅极层相接形成的p型的栅极层;以及与上述p型的栅极层相接形成的n型的阴极层,至少使...
自扫描型发光元件阵列芯片及制造方法、光写入头、光打印机技术
本发明提供一种自扫描型发光元件阵列,使用Si作为构造材料并在Si衬底上形成。在Si衬底30上形成栅失配缓和层32。通过外延成长,在栅失配缓和层32上依次层叠n型AlGaAs层14、p型AlGaAs层16、n型AlGaAs层18、p型Al...
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