本发明涉及一种用于从硅晶片（１２）的竖直堆（１０）中分离硅晶片（１２ａ）的方法。该方法的特征在于它包括将可移动传输设备（２）附接到堆（１０）中的硅晶片（１２ａ）的表面，以及硅晶片（１２ａ）平行（Ａ）于该硅晶片（１２ａ）表面的水平移动，直...

本发明涉及用于定向凝固半导体级多晶硅锭料的方法，该方法通过在由氮化硅制成的或由碳化硅和氮化硅复合材料制成的坩埚中使半导体级硅锭料结晶，还任选包括将进料硅材料熔化，从而改进对凝固过程的控制以及使锭料中氧和碳杂质的含量减少，其中将坩埚底部的...

本发明涉及用于制造半导体级硅锭料的可重复使用的坩埚，该坩埚由氮化物结合氮化硅（ＮＢＳＮ）制成。该坩埚可通过如下制得：混合氮化硅粉末与硅粉末，形成坩埚生坯，然后在含氮气氛中加热生坯，使得硅粉末氮化而形成ＮＢＳＮ坩埚。该坩埚可通过组装待成为...

本发明涉及用于生产半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块的装置和方法，其中通过在熔融和结晶工艺的热区中使用没有氧化物的材料充分减少或除去了热区中氧的存在。所述方法可以用于任何现有工艺中，包括用于半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块结晶的工艺，...

本发明包括用于表面清洗沿堆叠方向布置成一堆的各个晶片或衬底的设备和方法，其中在垂直于堆叠方向的方向上向所述堆发送流体射流，并且提供在晶片堆和喷嘴之间沿堆叠方向的相对移动。

本发明涉及回收含有硅粒子的元素硅切割剩余物的方法，其中所述方法包括从所述切割剩余物制造固体阳极，将一个或多个制造的阳极安排在具有熔盐电解质和一个或多个阴极的电解池中，和在一个或多个阳极与阴极之间施加电势差以在所述一个或多个阳极中获得金属...

本发明涉及一种用于通过将晶片堆放在微波室中并将该晶片暴露于引起晶片之间的水蒸发的微波来从晶片堆单个地分离晶片的方法。

本发明涉及一种用来减小晶片（４）之间的吸引力的方法。该方法的特征在于：在锯切之后和粘合剂（５）释放之前，包括有在晶片（４）之间引入间隔物（６）的步骤。本发明还包括一种晶片切割方法和在所述方法中使用的试剂。

本发明涉及一种用于由半导体材料制造定向凝固块的方法以及装置，其中，该装置具有一个里面盛放熔液的坩埚和一个至少从上面和侧面环绕坩埚的隔热体，该隔热体至少在坩埚的上面与其相距，还具有至少一个设置在坩埚上面的加热装置，其中，隔热体内部在坩埚上...

一种用于从至少两个类似的块形成多个薄片的设备，该设备包括用于供给线丝的供线卷轴（１），上对（３ａ、３ｂ）和下对（３ｃ、３ｄ）平行间隔开的滚轮导向器和收线卷轴（４）；来自供线卷轴的线丝绕着沿滚轮导向器连续的凹槽穿过，从邻近供线卷轴至靠近收...