晶片堆的清洗制造技术

本发明专利技术包括用于表面清洗沿堆叠方向布置成一堆的各个晶片或衬底的设备和方法，其中在垂直于堆叠方向的方向上向所述堆发送流体射流，并且提供在晶片堆和喷嘴之间沿堆叠方向的相对移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池制造工艺，并且具体涉及从硅锭中切割出的晶片的生产。
技术介绍
在太阳能电池工业中，一个目标是能够生产和处理薄的晶片，因为这会产生材 料消耗和制造成本的降低。因而，太阳能电池晶片的厚度处于ΙΟΟμιη和300μιη之间。通常通过将硅锭切割成薄片来制造晶片。切割前，在硅锭的一个表面沉积一粘 性层，以在切割过程中将晶片保持在合适的位置。切割/切片后，获得晶片堆，其中各 个晶片在表面上具有大量的切割流体(浆料)。这种流体有助于晶片间的粘附。切割的 晶片必须被冲洗(去除浆料，预清洗)，并且所述粘性层和相关的化学物质必须被去除， 以提供具有所需要的太阳能电池质量的晶片(去除粘性层之后，获得晶片堆)。为实现 这一目标，在最后的晶片工艺中，人们通常必须单独挑出晶片，然后单独清洗所述晶片 (最后的清洗)。现在，例如在所称的水平线中，太阳能电池晶片在晶片堆中清洗或单独清洗。 在晶片堆的清洗中，流体通常不会渗透晶片堆，且晶片的表面通常不暴露在流体和所需 的化学物质下。在水平的清洗中，人们必须在湿的条件下分开晶片，由于晶片之间的毛 细作用力，这导致较高的破损率。W097/02905本文档来自技高网...

【技术保护点】
设置为用于表面清洗沿堆叠方向堆叠的太阳能电池晶片的设备，其包括至少一个喷嘴，所述喷嘴被设置为在垂直于所述堆叠方向的方向上向晶片堆发送流体射流，且所述设备被设置为提供在所述晶片堆和所述喷嘴之间沿所述堆叠方向的相对移动，　　其特征在于，所述设备包括流体容器，并且所述晶片堆被浸入到所述流体容器中的流体中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2008-1-15 102008004548.91.设置为用于表面清洗沿堆叠方向堆叠的太阳能电池晶片的设备，其包括至少一个 喷嘴，所述喷嘴被设置为在垂直于所述堆叠方向的方向上向晶片堆发送流体射流，且所 述设备被设置为提供在所述晶片堆和所述喷嘴之间沿所述堆叠方向的相对移动，其特征在于，所述设备包括流体容器，并且所述晶片堆被浸入到所述流体容器中的 流体中。2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少一个喷嘴被浸入到所述流体容器中的流体中。3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备包括基本位于垂直于所述堆叠方向的共同平面中的两个或更 多个喷嘴。4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述设备包括位于垂直于所述堆叠方向的若干个平面中的喷嘴。5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述晶片堆通过粘性层而沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：佩尔阿尔内王，阿尔内拉姆斯兰，奥勒克里斯蒂安特朗鲁德，埃里克耶塔斯，本特哈梅尔，安德烈斯凯伊，奥拉特朗鲁德，
申请(专利权)人：REC斯坎沃佛股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]