专利查询
首页
专利评估
登录
注册
泉州三安半导体科技有限公司专利技术
泉州三安半导体科技有限公司共有190项专利
一种光学镀膜机制造技术
本实用新型公开了一种光学镀膜机,用于半导体产业的光学镀膜,特别是用于发光二极管芯片的镀膜工艺中,光学镀膜机包括光控托盘,光控托盘具有第一表面和第二表面,其中第一表面一侧靠近镀料源,且具有第一光控口,第二表面一侧具有光控片和第二光控口,光...
发光装置制造方法及图纸
本发明公开了一种发光装置,包括:封装基板,具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有图案化导电层,该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域;LED芯片,安装于图案化导电层上,具有相对的上表面、下表面...
一种晶舟盒制造技术
本申请公开了一种晶舟盒,用于半导体制作工艺中盛放和转移片源,例如在LED芯片前道制造中一般将同种条件一定数量的片晶片放置装在晶舟盒中进行站与站间传递,晶舟盒包括:具有容置空腔和开口的承载盒体、与承载盒体开口对应设置的盒盖,盒盖与承载盒体...
一种晶圆的裂片装置制造方法及图纸
本实用新型公开一种晶圆的裂片装置和方法,属于半导体光电器件领域。所述裂片装置包括主劈刀、活动劈刀、活动劈刀角度调节装置、活动槽、击锤、CCD取像处理器和受台。所述活动劈刀设置在一活动槽内,通过活动劈刀角度调节装置调整活动劈刀的角度进行芯...
复合图形衬底及其制作方法以及LED结构及其制作方法技术
本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法以及一种LED结构及其制作方法,该复合图形衬底包括:正面形成有多个柱状凸起的蓝宝石衬底;位于蓝宝石衬底上的柱状凸起之间且与柱状凸起平齐的DBR全反射器;位于DBR全反射器上方、与DBR全反射器一一对...
发光装置制造方法及图纸
本发明公开了一种发光装置。在一些实施例中,该发光装置,包括:支架,具有用于安装LED芯片的安装表面;LED芯片,包含透明基板和外延叠层,安装于所述支架的安装表面上;封装材料层,覆盖于所述LED芯片的表面上,将所述LED芯片密封于所述支架...
CVD用耐高温卡塞制造技术
本实用新型提出一种CVD用耐高温卡塞,所述卡塞包括左右对称的框架本体,所述框架本体的顶部开口,所述框架本体相对的两侧为设置有若干均匀分布的卡槽的侧壁,所述卡槽用于从顶部开口放置CVD作业后的晶片,所述卡塞的主体结构使用铝合金,在其表面喷...
一种半导体发光元件制造技术
一种半导体发光元件,其包括半导体发光序列,半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层;具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极,与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极;所述第一类型导电性...
一种紫外光源封装元件制造技术
一种紫外光源封装元件,包括:基架、光学元件和LED芯片;所述基架中央具有凹槽,所述凹槽内的底部固定所述LED芯片;含氟树脂填充所述的光学元件下方的凹槽部分,并通过所述的光学元件上的贯通孔结构或光学元件边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙填充至...
一种激光器封装结构制造技术
一种激光器封装结构,包括支架(210),包含正面电路层、背面电路层(280)及位于支架(210)内部的内部电路层(270),内部电路层(270)具有复数个电路连接单元(271‑274),每个电路连接单元(271‑274)具有第一连接通孔...
一种发光二极管及其制作方法技术
一种发光二极管及其制作方法,包括:发光外延层,自下而上依次包括第一半导体层(110)、发光层(120)和第二半导体层(130);透明介质层(200),至少形成在第二半导体层(130)上,透明介质层(200)具有平台(210)和一系列开口...
一种高压发光二极管芯片以及制备方法技术
本发明提供一种高压发光二极管芯片的外延结构、芯片结构和制备工艺,通过在外延结构上堆叠两个发光序列,并通过一次转移工艺实现在同一导电侧表面进行串联不同高度的高压芯片结构,制作工艺简单,低成本生产,获得的高压发光二极管器件,能够减少相邻两个...
一种激光器封装结构制造技术
本实用新型公开一种激光器封装结构,包括支架,具有碗杯结构;激光芯片,安装于该支架的碗杯内,可发射一第一激光光束;光学元件,具有倾斜的反射面及一个顶面平台结构,该平台的尺寸为0.5 mm×0.5mm以上,供封装制程中吸嘴拾取元件使用。
一种发光二极管封装结构制造技术
一种发光二极管封装结构,包括:支架、LED芯片、气密层以及封装胶,其特征在于:所述支架设有空腔结构,所述LED芯片位于支架上,所述封装胶包含波长转换层且位于所述LED芯片上,所述封装胶与所述支架形成容置腔,且所述气密层位于容置腔内。与现...
紫外杀菌装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种紫外杀菌装置及安装有该杀菌装置的设备,其中该杀菌装置包含UVA光源、UVC光源和网状结构,所述UVA光源用于产生波长大于等于300nm且小于等于400nm的紫外线,所述UVC光源用于产生波长大于等于200nm且小于等...
利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法技术
本发明提供了一种利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法,包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层和GaN缓冲层:AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层包含多个多量子阱结构应力传递层,...
一种发光二极管制造技术
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种发光二极管,包括衬底,以及位于所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的多量子阱发光层、设置于第一半导体层之上的第一电极,以及设置于第二半导体层上的第二电极,...
一种发光器件封装结构制造技术
一种发光器件封装结构,包括:基架、透明盖板和LED芯片;所述基架中央设置有凹槽,所述凹槽内的底部固定所述LED芯片;所述基架的顶部边缘被所述透明盖板的边缘覆盖,透明盖板的外径的大小等于基架顶部的外径,所述透明盖板中央覆盖凹槽的部分具有向...
发光二极管封装器件及发光装置制造方法及图纸
本发明提供了一种发光二极管封装器件,包括:彼此分隔开的若干个LED芯片,所述LED芯片包含相对的第一表面、第二表面和在第一表面和第二表面之间的侧面,所述第一表面为出光面,所述第二表面上设有一对电极;电路层,形成在所述LED芯片的第二表面...
一种半导体发光元件制造技术
一种半导体发光元件,其包括半导体发光序列,半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层;第一导电类型半导体层下方具有电介质层,电介质层具有多个贯通的开口;电介质层下方具有金属层,金属层通过电介质...
首页
<<
3
4
5
6
7
8
9
10
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
109517
珠海格力电器股份有限公司
85398
中国石油化工股份有限公司
69622
浙江大学
66528
中兴通讯股份有限公司
62020
三星电子株式会社
60326
国家电网公司
59735
清华大学
47321
腾讯科技深圳有限公司
45004
华南理工大学
44101
最新更新发明人
黑龙江省农业科学院绥化分院
109
三星显示有限公司
15261
深圳华硕新材料应用科技有限公司
17
广东汉特科技有限公司
76
佛山市惠创通风环保设备有限公司
3
中国十七冶集团有限公司
8846
潍柴动力股份有限公司
12155
乐金显示有限公司
9107
宁波方太厨具有限公司
16857
深圳市悦格环保科技有限公司
2