一种复合透镜装置，它用于包括至少两个透镜单元的这种透镜装置阵列中，所述至少两个透镜单元包括前透镜单元，后者具有在该复合透镜装置中为最大直径透镜表面的前透镜表面，其中，复合透镜的出射光瞳以所述前透镜表面边缘为边界并且位于所述前透镜表面边缘...

一种用于摄像机运动的校正的视频图像稳定化系统，它设置成从图像源接收表示多个图像的一个或多个信号，其中，对于至少图像（ｎ－１）和图像（ｎ－２）之后的图像ｎ，所述系统设置成估算表示在图像ｎ中成像的场景与前一个图像之间的空间间隔的图像ｎ与前一...

本发明为公共密钥基础结构（ＰＫＩ）中的交叉认证提供方法、装置、系统和软件。提供一种具有认证机构层次结构的公共密钥基础结构。安排第一ＣＡ颁发一份交叉证书。安排层次高于第一认证机构的第二认证机构，使得不颁发任何可被成功使用于证实交叉证书的信...

本发明涉及一种完全在电子域实现的模式识别相关器。该相关器具有一个串行到并行转换装置，用于将输入串行二进制数据转换为至少一个输入并行二进制电信号；以及比较器，用于将该输入并行数据信号或者每个输入并行数据信号与参考并行二进制数据信号比较。该...

本发明提供了一种双工自由空间光通信的方法，包括接收时移键控（ＴＳＫ）编码的信号和选择性地重新调制－及可选地回射－已接收ＴＳＫ脉冲以便发射开关键控（ＯＯＫ）信号。也提供了相关设备和信号。

本发明提出了一种产生信号（１９）的数字描述的设备，它对信号本身是自适应的。一个诸如模拟数字变换器（２）之类的的恒定速率采样装置以恒定速率对信号（１０）采样，产生信号的第一数字描述（１２）。变换装置（１４）响应第一数字描述（１２）根据信号...

描述了光学放大器的输入和输出级的光路。所述输入级的光路（４２）包含：传送要被放大的信号射束的第一光波导（４６）、传送泵激光束的第二光波导（６２）、光耦合至第一和第二光波导（４６、６２）以产生组合的信号／泵激光束的光束组合单元（５８）以及...

用于传输光辐射的粗芯光子晶体光纤具有芯，芯由基本上透明的芯材料制成，芯直径至少为５μｍ。光纤还包括包围芯材料长度的包层区，其中包层区包括具有第一折射率的第一基本上透明的包层材料，而且所述第一基本上透明的包层材料沿着它的长度上掩埋基本上呈...

一种水平入口半导体光检测器（２），包括一个水平光吸收层（８），用来将光转换成光电流，该层的形状使得光被约束在其中成为耳语廊传播模。检测器制成有一个第一波导段（１８）和一个第二光约束段（２０，２１），它们被设置成使得波导段将光耦合进检测器...

本发明描述一种光学放大器（５０；６６），它包括至少两段放大光纤（２４；５６；８４；９４）和用来光学泵激各放大光纤（２４；５６；８４；９４）的泵激装置。还提供一些光纤支承装置，例如衬底（２０；２６；４２；４４；５４）内的一个沟道或多个沟道...

一种横向结半导体器件及其制造方法，该方法包括步骤：形成具有叠层的半导体结构（２），该叠层通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料形成，其中第一层（４）中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，并从第一层（４）选择性去除半导...

具有二维扫描的相控阵列天线系统包括排列成线的天线单元Ａ↓［１，１］到Ａ↓［１２，１２］的二维阵列Ａ；每个线被与相应的第一行列共同馈电网络１６↓［１］到１６↓［１２］相关联，所述网络具有连接到相应的天线单元Ａ↓［１，１］到Ａ↓［１２，１２...

一种设备（３０），用来调整提供给具有多个天线元件的天线每个元件（Ｅ１－Ｅｎ）的信号的相位，每个元件具有与之相应的各自的传输线（３４ａ、３４ｂ），所述设备包括：第一支持装置（３２），具有多个布置在其上的传输线（３４ａ、３４ｂ）；和第二支持...

一种适于在互相垂直的４５°范围内的两个平面之间传递微波能量的连接器，包括：第一构件（１２），所述第一构件包括通过第一电介质（２０）与第一导电接地平面（２４）隔开的第一导体（２２），所述第一电介质（２０）具有在其中形成的狭槽（３２）；和第...

一种相控阵天线（４００），它包括第一阵列单元（４０２）和第二阵列单元（４０４）以及介质分隔器（４０８）。每个第一和第二阵列单元（４０２、４０４）是检测器单元或发射器单元。介质分隔器（４０８）位于第一和第二阵列单元（４０２、４０４）之间并...

一种用于制备例如锂铁硫化物的锂过渡金属硫化物的方法，该方法包括使过渡金属硫化物与硫化锂在包括熔盐或者熔盐混合物的溶剂中反应。还要求保护使用该方法得到的锂过渡金属硫化物，其用于制备电极，特别是再充式锂电池的电极。

本发明涉及有机半导体器件，其包括带有夹在电极结构之间的有机层的基材，其中有机层包含由通式Ⅰ表示的聚合物：其中Ｘ选自Ｈ，ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＯＯＣＨ↓［３］。Ｙ由以下通式Ⅱ表示：其中Ａ是苯基，该苯基可进一步在１或２或３位置上被独立地选...

一种提取晶体管（１０）－ＦＥＴ－包括借助ｐ型ＩｎＳｂ量子阱（２２）在较宽带隙的各ｐ型ＩｎＡｌＳｂ层（２０，２４）之间延伸的导电沟道。ＩｎＡｌＳｂ层之一（２４）具有超薄的硅ｎ－型δ－掺杂层（２８），它为量子阱（２２）提供载流子的主要来源。...

本发明提供了一种霍耳效应磁场传感器（１０，５０），它包括载流子排除或抽取装置（３６，６６），用来降低对有源区（１４ｅ，５３ｅ）中的载流子浓度的本征贡献，以便使传感器工作于非本征饱和区。这就提供了能够使传感器（１０，５０）的磁场测量灵敏度...

一种双极型晶体管具有窄禁带半导体材料的基极和集电极区排除的基板接触的少数载流子具有基区掺杂浓度超过１０＃＋［１７］ｃｍ＃＋［－３］。该晶体管比现有技术的窄禁带双极型晶体管具有更大的动态范围，更大交流电压与功率增益带宽乘积以及更低的基极接...