水平入口半导体光检测器制造技术

一种水平入口半导体光检测器（２），包括一个水平光吸收层（８），用来将光转换成光电流，该层的形状使得光被约束在其中成为耳语廊传播模。检测器制成有一个第一波导段（１８）和一个第二光约束段（２０，２１），它们被设置成使得波导段将光耦合进检测器内，并将光传送至光约束段，从而围绕光约束段激发耳语廊传播模。光吸收层可以是光约束段的一部分，或者是光被耦合进光约束段内，也可以通过瞬息耦合将光从光约束段耦合进光吸收层内。在光吸收层内激发出耳语廊模大大地增加了光吸收层的有效吸收系数。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光检测器，特别是水平入口光检测器，例如金属-半导体-金属(m-s-m)检测器，p-i-n检测器和水平入口分离式吸收和倍增(SAM)雪崩检测器等。硅(Si)雪崩光二极管(APD)工作在模拟模式时具有很低噪声的雪崩增益，因而在短波长下最好采用Si材料，此时Si是一个在短波长下的很好的吸收体。工作在盖革(Geiga)模式下的Si雪崩检测器目前是短波长下最好的甚低电平光检测器，此时Si是一种很好的光吸收体。商用Si单个光子雪崩检测器(SPAD)可提供约300皮秒的时间分辨率，而且有报导称已做出室温下30皮秒时间分辨率的实验室器件。为获得如此短的时间分辨率的高速特性，一个重要因素被认为是采用小型结构，一般是1μm厚的光吸收层和5μm的横截面长度。通讯业目前感兴趣的是通常用来检微弱信号的工作在模拟模式的雪崩光二极管，以及用于光波长在1.3μm至1.55μm量级的量子保密术(在该波长下Si是一种差的光吸收器)的SPAD检测器。在这些波长下，铟镓砷化物/磷化铟(InGaAs/InP)结构能提供较好的光吸收。用这些材料制成的检测器的缺点是，APD产生噪声大的雪崩增益，而SPAD检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平入口半导体光检测器（２），包括一个水平光吸收层（８），其用于将光转换成光电流，该层被构型为将光以耳语廓传播模约束在其中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：DCW赫尔伯特，DR维特，ETR基德利，RT卡林，WY梁，DJ罗宾斯，JM赫顿，
申请(专利权)人：秦内蒂克有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]