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青岛盛嘉信息科技有限公司专利技术
青岛盛嘉信息科技有限公司共有347项专利
太阳能照明系统技术方案
本发明提出了一种太阳能照明系统,包括太阳能吸收模块,所述太阳能吸收模块吸收太阳光能;能量转换器,所述能量转换器连接至所述太阳能吸收模块;能量储存器,所述能量储存器连接至所述能量转换器;检测电路,所述检测电路检测照明开关指令,并依据所述开...
一种植物助长LED灯制造技术
本发明提供一种植物助长LED灯,包括灯杆、灯罩、灯体基座、智能开关和LED灯,其中灯杆用于支持灯体基座,灯罩用于反射LED灯,使其灯光照射于植物,灯体基座用于安放LED灯,智能开关用于在黑暗时开启LED灯,在明亮时关闭LED灯,LED灯...
一种发光材料制造技术
本发明提供一种发光材料,为30Yb-0.1Tm-0.2Er直接三掺LiY3F10纳米晶白光上转换发光粉。
一种发光材料制造技术
本发明提供一种发光材料,为30Yb-0.1Tm-0.2Er直接三掺NaY3F10纳米晶白光上转换发光粉。
一种发光材料制造技术
本发明提供一种发光材料,为二氧化硅/氨基硅烷包覆La202S:Yb3+,Ho3+纳米粒子白光上转换发光粉。
一种发光材料制造技术
本发明提供一种发光材料,为二氧化硅/氨基硅烷包覆La2O3:Yb3+,Ho3+纳米粒子白光上转换发光粉。
一种发光材料制造技术
本发明提供一种发光材料,可产生上转换发光,Yb3+/Er3+掺杂LnTa04(Ln=Y,Gd,La)。
一种氧化物纳米线及其制备方法技术
本发明涉及一种Tb3+离子掺杂的ZrO2纳米线的合成方法,采用气-液-固法合成,包括:把Zr-Fe-Tb合金在氮气保护下球磨8小时;保持Ar气和氢气的流量比为10:1,进行加热;炉温达到1210℃后保持反应三小时,然后在Ar气保护下冷却...
一种纳米片发光材料及其制备方法技术
本发明涉及一种MgB2O4:Mn2+纳米片的合成方法,采用两步合成法,包括:采用尿素水解沉淀法制备前驱体白色粉末;将白色粉末研磨均匀,倒入瓷舟中,进行加热;炉温达到1000℃后保持反应三小时,然后在Ar气保护下冷却到室温;收集到白色的粉...
一种纳米片发光材料及其制备方法技术
本发明涉及一种MgGa2O4:Mn2+纳米片的合成方法,采用两步合成法,包括:采用尿素水解沉淀法制备前驱体白色粉末;将白色粉末研磨均匀,倒入瓷舟中,进行加热;炉温达到1000℃后保持反应三小时,然后在Ar气保护下冷却到室温;收集到白色的...
一种氧化物纳米线及其制备方法技术
本发明涉及一种Tb3+离子掺杂的TiO2纳米线的合成方法,采用气-液-固法合成,包括:把Ti-Fe-Tb合金在氮气保护下球磨8小时;保持Ar气和氢气的流量比为10:1,进行加热;炉温达到1210℃后保持反应三小时,然后在Ar气保护下冷却...
电饭煲预约控制电路制造技术
本发明提出了一种电饭煲预约控制电路,包括交互界面,所述交互界面接收操作指令;显示电路,所述显示电路连接至所述交互界面;小时计时器,所述小时计时器连接至所述交互界面;分钟计时器,所述分钟计时器连接至所述交互界面,所述分钟计时器还连接至所述...
一种包含菠萝废料的饲料添加剂制造技术
本发明提供一种包含菠萝废料的饲料添加剂,其特征在于在饲料添加剂中添加菠萝,其中菠萝废料的含量为全部添加剂含量的5-20%,通过将菠萝皮、菠萝叶或废弃菠萝果残料通过烘干、碾压、磨粉等工序制成添加剂粉末。另外,饲料添加剂还包括盐类添加剂以及...
一种草药饲料添加剂制造技术
本发明提供一种草药饲料添加剂,其特征在于在饲料添加剂中加入单味黄芪、党参茎叶、桐叶、艾叶、黄荆子、栀子粉、松针粉以及沙棘中的一种或多种,其中单味黄芪的含量为全部添加剂含量的2.5%,党参茎叶的含量为全部添加剂含量的1.5%,桐叶的含量为...
一种包含海带废料的饲料添加剂制造技术
本发明提供一种包含海带废料的饲料添加剂,其特征在于在饲料添加剂中添加海带废料,其中海带废料的含量为全部添加剂含量的0.5-5%。另外,饲料添加剂还包括酶制剂以及其他辅料。
一种薄膜晶体管生长工艺制造技术
本发明提供一种IGCZO?TFT生长工艺及TFT流片工艺,该IGCZO生长工艺包括:1)腐蚀ITO玻璃;2)生长IGCZO复合层结构,其中,IGCZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al;2)湿法腐蚀IGCZO。在TFT流片工艺...
室内定位方法及装置制造方法及图纸
室内定位方法及装置。所述室内定位方法包括:查找盲节点;广播接收信号强度;预处理所述接收信号强度,获取第一信号强度信息;基于所述第一信号强度信息定位所述盲节点。所述室内定位装置包括:查找单元,用于查找盲节点;广播单元,用于广播接收信号强度...
一种薄膜晶体管制造技术
本发明涉及一种薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件包括衬底11、源漏极19、有源层17、绝缘层15以及栅极13,其中有源层为含VB族金属氧化物。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。可实现工艺大为简化,性能更加优良。
一种薄膜晶体管制造技术
本发明涉及一种薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件包括衬底11、源漏极19、有源层17、绝缘层15以及栅极13,其中有源层为含IIIB族金属氧化物。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。可实现工艺大为简化,性能更加优良。
一种薄膜晶体管生长工艺制造技术
本发明提供一种ZnMgO?TFT生长工艺及TFT流片工艺,该ZnMgO生长工艺包括:1)腐蚀ITO玻璃;2)生长ZnMgO复合层结构,其中,ZnMgo复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al;2)湿法腐蚀ZnMgO。在TFT流片工艺...
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