本发明公开的一种铌酸锂氮化硅集成器件的制备方法，包括如下步骤：S1、制备铌酸锂调制器，所述铌酸锂调制器中包括铌酸锂波导和调制电极、热电极、铌酸锂键合电极；S2、制备氮化硅芯片，所述氮化硅芯片中包括氮化硅波导，在所述氮化硅芯片上完成电极键...