本技术涉及一种发光二极管结构器件。本技术包括衬底；缓冲层，设置于衬底表面；第一半导体层，设置于缓冲层表面，第一半导体层设置有第一台阶和第二台阶，第一台阶和第二台阶共同包括共用高台阶面且在共用高台阶面上依次设置活性层、第二半导体层和电流扩...

本技术涉及一种发光二极管结构。本技术包括衬底；缓冲层和第一半导体层；第一半导体层设置有第一台阶和第二台阶；第一台阶的高台阶面和第二台阶的高台阶面均依次设置有活性层以及第二半导体层；第二半导体层表面设置有正极电流阻挡层，正极电流阻挡层设置...

本发明涉及一种可调制的类太阳光谱发光二极管结构及制作方法。本发明包括衬底；第一芯片单元，设置于所述衬底上；第二芯片单元，通过键合设置于所述第一芯片单元上；其中，所述第一芯片单元和所述第二芯片单元分别为蓝光芯片、青绿光芯片和红光芯片中的一...

本发明涉及一种发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底；缓冲层、第一半导体层、正极电流阻挡层、负极电流阻挡层、第一电流扩散层、蚀刻阻挡层、第二电流扩散层A、第二电流扩散层B、第二电流扩散层C、正极焊盘、负极焊盘和绝缘钝化层；其中，第二...

本发明涉及一种多峰发光二极管结构及其封装器件。本发明包括衬底；第一芯片单元，包括沿所述衬底表面水平方向交替设置的第一外延结构和第二外延结构；第二芯片单元，通过键合的方式设置于所述第一芯片单元上，所述第二芯片单元包括第三外延结构；其中，所...

本实用新型涉及一种微小型发光二极管结构。本实用新型包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与...

本发明涉及一种小型发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透...

本发明涉及一种微小型发光二极管结构及制作方法。本发明包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构正面以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有第一接触区和第二接触区，正极焊盘设有扩展部，扩展...

本发明涉及一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法。本发明包括芯片与电阻元件，所述芯片包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有第一透明导电层，正极焊盘与第一透明导电层接触，负极焊盘与外延结构接触；所述电阻元件包括设于芯...

本实用新型涉及用于光耦合器件的发光二极管结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；光输入发光二极管包括：光输入缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极、绝缘保护层、第一焊盘、第二焊盘；光探测...

本实用新型涉及用于低电容光耦合器件的二极管集成结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；光输入发光二极管包括：光输入缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、绝缘保护层、第一焊盘与第二焊盘；光探测发光...

本发明涉及一种用于光耦合器件的发光二极管封装器件，在封装基板的正面设有光输入第一、第二电极焊盘、光探测第一、第二电极焊盘；光输入第一、第二电极焊盘通过导线与输入电源连接；光探测第一、第二电极焊盘通过导线与电流探测器连接；在封装基板的正面...

本发明涉及用于光耦合器件的二极管集成结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；发光二极管包括缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一接触电极、第一扩展电极、绝缘保护层、第一焊盘通与第二焊盘；光探测二极管；...

本实用新型公开一种银镜倒装发光二极管结构，包括：衬底；发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；发光外延层外周为第一倾斜面，发光外延层底部外侧露出衬底部位为第一表面，发光外延层内侧形成第二倾斜面，并露出位于第一半导...

本实用新型涉及一种Micro发光二极管结构，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面低台阶面设有第一半导体层接触电极，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，在第二...

本发明公开了一种基于表面化合物粗化的LED芯片结构制作方法，包括以下步骤：步骤S1，提供芯片衬底，在芯片衬底表面镀一层化合物；步骤S2，在芯片结构表面沉积一层Ni原子层，再利用退火炉的高温快速退火工艺形成Ni纳米颗粒结构层；步骤S3，利...

本发明涉及一种高可靠倒装发光二极管结构及封装体，发光二极管包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一半导体层、第一接触电极、有源层、第二半导体层、透明导电层、第二接触电极、分布式布拉格反射镜、第一焊盘与第二焊盘，在分布式布拉格反射镜的部分正面设有第一...

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法、发光器件模组，其中，所述发光二极管，包括：衬底；发光外延层，自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；绝缘层，形成于所述N型半导体层和P型半导体层上；透明导电层，形成于P型半导体层表面上...

本实用新型公开了一种表面具有钝角粗化的LED衬底结构，在芯片衬底表面进行粗化蚀刻，形成具有多个张角为钝角的斜凸起结构的表面，每个斜凸起结构在高度方向上分为上下两部分，下部为成钝角的倾斜梯形，上部为二次粗化形成的小凸起。本实用新型为表面具...

本发明公开了一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法，其中所述绝缘保护的倒装LED芯片结构在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹...